1 长春理工大学 光电信息学院, 长春 130114
2 吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点实验室, 长春 130012
工作在中长波的红外探测器可被广泛应用在空间成像、**和通信等领域, 锑基InAsSb材料由于其特殊的性质是制作长波非致冷光子探测器的理想材料。俄歇复合寿命是影响探测器性能的重要因素之一, 文章采用Matlab软件模拟研究了n型和p型InAsxSb1-x材料的俄歇复合寿命随温度、As组分及载流子浓度的变化。对确定的As组分, 可通过优化工作温度及载流子浓度获得较长的俄歇复合寿命。当载流子浓度为3.2×1015cm-3、温度为200K时, n型InAs0.35Sb0.65的俄歇复合寿命最大为2.91×10-9s。
俄歇复合寿命 As组分 温度 载流子浓度 InAsSb InAsSb Auger recombination lifetime As composition temperature carrier concentration
