在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后, 采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料, 结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明, 在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌, 提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明, 0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小, 光致发射谱半峰宽最窄, 并且有最高的带边辐射复合发光效率。可见, 引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性。

大多数OLED都用ITO做阳极，为了提高ITO的功函数、改善ITO表面的平整度和减少C的污染，通常要在生长有机材料前对ITO表面进行处理。介绍了目前用等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状，给出了Ar、O2、H2、N2、N2O和CF4等离子体处理ITO后对平整度、功函数、接触角和OLED特性等的影响，在他人研究基础上得出结论：用等离子体对OLED阳极进行处理其器件特性不仅与处理ITO表面的气体种类有关，也与产生等离子体的条件有关。采用正交试验方法可优化等离子体处理工艺参数，获得高性能的OLED。

研究了Mach－Zehnder型极化聚合物电光波导强度调制器的制备工艺．器件采用DANS(4－dimethylamino－4′nitro－stlibene)聚合物为电光波导材料，由电光波导层、上下介质缓冲层、上下金属电极层构成五层波导结构．对五层光波导各层之间的光学、化学以及微加工工艺的相互兼容性进行了深入研究．采用紫外光漂白方法制备出侧壁光滑的条波导，采用钨丝电晕极化方法对DANS聚合物波导进行有效极化，使其具有电光特性．通过优化器件制备工艺，研制出工作波长为1300nm的M－Z型电光波导强度调制器原型器件．实验测得器件半波电压约为10V，调制带宽约为1GH_z．

对于聚合物电光波导, 依据理想光波导耦合 理论的微扰理论, 推导传播常数和损耗系数的近似表达式, 从而将求解本征值的复杂复数 运算简化成简单实数运算。 数值计算表明, 这些近似解与正确解很好相符。 给出的近似 公式和特征曲线可供聚合物电光波导及其器件的设计和制备作参考。

在1.5 μm光波长，首次研制出质子交换铌酸锂光波导TE0模偏振器。器件由嵌在Ti扩散波导之间的一段质子交换波导构成，器件长度为2 mm。实验测得，偏振器的消光比和带尾纤插入损耗分别为42 dB和4.3 dB。

本文简化了有效折射率法和WKB法对梯形截面介质光波导传输特性的分析过程,给出了计算E_(mn)~X模有效折射率的近似模方程,并用数值计算结果和实验结果检验了该模方程的精度。

由单侧和双侧漏模法,测量了液体和气体的折射率,将液体或气体滴入或充入棱镜和衬底之间,使这三层介质组成单侧或双侧漏波导.用棱镜耦合器测量共振漏模的模折射率,并由相应的模方程确定液体或气体的折射率.测量结果表明,折射率的误差为1～3×10~(-4).并在理论上对测量精度作了分析和讨论.