作者单位
摘要
中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621999
介绍了用于太赫兹分子钟的精细低损耗密闭结构太赫兹腔体的设计方法及解决思路, 利用CST 对太赫兹腔体开展了物理仿真设计及结构设计, 通过仿真优化设计出230 GHz±10 GHz 范围内,反射系数S 1 1 小于-10 dB 的小型化太赫兹腔体结构。利用现有的加工技术完成了太赫兹腔体的加工与制备,并开展了冷测工作,实现带内反射小于-10 dB,传输损耗低于-5 dB,为后续的太赫兹分子钟的研制奠定了基础。
太赫兹 分子钟 腔体 测试 terahertz molecular clock cavity test 
太赫兹科学与电子信息学报
2022, 20(2): 166
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院 计量测试中心,四川 绵阳 621900
在百千瓦或兆瓦级大功率毫米波系统中一般采用量热法对输出的毫米波功率进行测量。针对百千瓦级长脉冲大功率毫米波系统功率测量的需要,开展了基于量热法的功率测量系统设计,利用吸收负载将入射的毫米波能量转换为热量,通过监测出入水口的温度和流量实现了大功率毫米波功率测量,并开展了重复性测试。为了实现量值溯源,提高测量系统的准确性,开展了能量标准装置的设计,并推导了能量测量误差。
功率测量 量热法 校准 高斯波束 毫米波 power measurement calorimetry calibration Gaussian beams millimeter wave 
强激光与粒子束
2022, 34(4): 043005
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900
针对器件工程应用中的高功率高增益需求,设计了工作在X波段的高功率高增益多注相对论速调管放大器,建立了带输入、输出波导结构的三维整管模型。设计双边对称耦合孔输入腔结构,降低了输入波导对输入腔间隙电场均匀性的影响以抑制非均匀干扰模式;设计采用多腔多间隙群聚结构,降低了输入微波功率的需求,提高了器件放大增益;并且分析设计了多间隙扩展互作用微波提取结构,提高了器件的功率转换效率以及降低输出结构表面电场强度。通过优化设计,粒子模拟仿真实现X波段多注相对论速调管放大器输出微波功率达到3.2 GW,器件放大增益约为60 dB,功率转换效率约为40%。器件验证实验在电子束电压550 kV,电流5.1 kA的情况下,输出功率为0.99 GW,放大增益约为53 dB,转换效率约为35%。
相对论速调管放大器 X波段 高功率 高增益 relativistic klystron amplifier X-band high power high amplifier gain 
强激光与粒子束
2020, 32(10): 103004
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院 研究生院,北京 100088
2 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900
3 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900;哈尔滨工业大学 先进焊接与连接国家重点实验室,哈尔滨 150001
为了抑制聚四氟乙烯材料表面电荷积聚,采用射频产生氮等离子体对其表面进行等离子体浸没离子注入以改善其表面性能。对注入前后的聚四氟乙烯材料样品进行了X射线光电子能谱分析(XPS)、傅里叶红外光谱测试(FTIR)、水接触角测量、表面电阻率测量以及表面电位衰减测量,并基于等温表面电位衰减理论对其表面陷阱能级和密度分布进行了计算,以分析聚四氟乙烯样品经离子注入处理后其表面成分和物理性能的变化,并研究了这些变化对聚四氟乙烯样品表面电荷积聚和消散特性的影响。结果表明:氮离子注入后,聚四氟乙烯材料表面化学成分的主要变化是自身分子结构的破坏和转化,部分CF2结构转变为CF和CF3结构,导致样品表面陷阱能级变浅;水接触角升至140°左右,比未处理样品上升了约27°,表面电阻率降至3×1015 Ω,比未处理样品下降了两个数量级;表面电晕放电1 min后,经氮离子注入处理的聚四氟乙烯材料表面积聚电荷量减少,消散速度加快,这是因为表面陷阱能级变浅有利于表面电荷脱陷,同时表面电阻率降低也促进了表面电荷沿面传导的消散过程,聚四氟乙烯样品表面陷阱能级分布曲线也证实了这一论点。
聚四氟乙烯 氮离子注入 表面电荷 积聚消散 表面电阻率 表面陷阱特性 PTFE nitrogen ion implantation surface charge accumulation and dissipation surface resistivity surface trap characteristics 
强激光与粒子束
2020, 32(7): 075001
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院 研究生院,北京 100088
2 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900
分析了采用单一同轴磁场时强流相对论多注阴极的侧端发射问题,研究了在不同磁场内半径和多注漂移管长度情况下多注电子束的传输效率。研究发现:由于引导磁场尺寸有限,高压下多注阴极杆及多注阴极柱的电子束发射是影响多注电子束传输效率的主要因素,且该部分电子束对多注漂移管入口管壁的轰击直接影响了多注速调管的重频能力。设计了采用永磁铁和同轴磁场组合工作的强流相对论多注二极管,理论分析和模拟计算证明:基于组合磁场的多注二极管可明显减弱甚至抑制多注阴极发射球头以外的电子束发射,并且组合磁场的磁场位形和强度可满足强流相对论多注电子束的高效、稳定传输。
组合磁场 强流相对论多注电子束 传输效率 多注速调管 combined magnetic system intense relativistic multi-beam transmission efficiency multi-beam klystron 
强激光与粒子束
2020, 32(5): 053003
王淦平 1,1,2,2李飞 1,1金晓 1,1宋法伦 1,1张琦 1,1,2,2
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院 研究生院,北京 100088
介绍了快速关断半导体开关(DSRD)的工作原理,研究了开关内部的物理过程,分析了系统参数对开关输出特性的影响,研究发现:基区材料的击穿阈值越高、载流子饱和漂移速度越大输出电压上升速率越快;基区高的电场击穿阈值或低的掺杂浓度会增加器件关断时间和最大工作电压;考虑各参数的影响,基于高击穿阈值的DSRD是实现快脉冲输出的理想器件;缩短正向泵浦时间可有效抑制预脉冲,当正向泵浦时间小于200 ns时,输出脉冲波形基本不变;为了获得理想的脉冲前沿,反向电流应在达到峰值时完成对注入电荷的抽取。设计了单前级开关的DSRD泵浦电路,研制了基于DSRD的快脉冲产生系统,输出脉冲前沿约4 ns,电压约8 kV,电压上升速率约2 kV/ns,满足FID开关器件对触发电压的要求。
固态脉冲发生器 高功率半导体断路开关 快前沿脉冲 脉冲功率技术 solid state pulse generator high power semiconductor opening switch fast rise-time pulse power technology 
强激光与粒子束
2020, 32(2): 025014
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
以FR-4环氧玻璃纤维布为介质材料, 研制了一种S型平板折叠式固态脉冲形成线。从理论上和实验上分析了脉冲形成线的放电过程。重点研究了边缘特性对其特性阻抗的影响, 给出了改进的特征阻抗表达式; 分析了相邻效应和集肤效应对脉冲形成的影响, 给出了脉冲波形中出现高频噪声的原因; 实验上验证了使用寿命与外加电场的关系。采用多级折叠线串并联模块化技术, 提高了模块电压, 降低了特性阻抗, 研制了一种基于串并联技术的Blumlein线模块。该模块的耐压大于120 kV, 特性阻抗约为7 Ω, 脉冲宽度为138 ns。
紧凑型脉冲功率源 脉冲形成线 平板折叠线 快放电 high power pulsed source pulse forming line planar S-type folded line fast discharge process 
强激光与粒子束
2019, 31(1): 015003
张恺烨 1,2,*宋法伦 2张北镇 2张琦 1,2[ ... ]金晓 2
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 研究生部, 北京 100088
2 中国工程物理研究院 应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
基于高功率重复频率脉冲功率源的应用需求, 研制了一种三电极场畸变结构气体火花间隙开关, 并开展了重复频率条件下的触发特性研究。实验研究了场畸变火花间隙开关的触发特性随重复频率、气体成分、工作压强和工作系数的变化关系, 计算了气体开关的触发击穿时延和抖动参数, 分析了影响开关触发特性的主要因素。实验结果表明:气体开关触发击穿的抖动随着重复频率增加而增大; 填充气体中SF6和 N2体积比1∶1时, 混合气体的综合性能较好; 工作系数主要影响开关第二放电火花间隙(间隙2)的击穿抖动。
气体开关 抖动 脉冲功率技术 gas switch time jitter pulse power technology 
强激光与粒子束
2018, 30(10): 105003
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
设计了一种非浸没式小型化轴向无箔二极管, 其阴极发射区位于螺线管中心孔以外, 采用螺线管、永磁体和软磁体构成的复合引导磁场系统。采用CST优化设计二极管结构, 使其满足800 kV电压下绝缘要求; 优化设计磁场系统结构及物理参数, 使其满足引导强流相对论电子束高效率传输的要求。采用粒子模拟(PIC)软件仿真电子束产生及传输过程, 验证其高传输效率。设计的阳极筒直径比原结构缩小约40%, 在产生同样均匀区轴向磁场强度情况下, 引导磁场重量和功耗比原结构降低约40%, 仿真结果显示主引导磁场0.85 T下, 8 kA电流能够实现100%传输效率。
无箔二极管 小型化 非浸没式 复合引导磁场 传输特性 foilless diode miniturization non-immersion composite guide magnetic field transmission characteristic 
强激光与粒子束
2018, 30(10): 103002
马崇启 1,2,*程璐 1金晓 3买巍 1,2[ ... ]朱宝基 1
作者单位
摘要
1 天津工业大学纺织学院, 天津 300387
2 天津工业大学先进纺织复合材料重点实验室, 天津 300387
3 烟台南山学院, 山东 龙口 265706
目前计算机配色中, 拟合样与标准样的色差小时配方偏差较大, 打样结果不理想, 难以预测准确配方。 在光学模型Stearns-Noechel模型的基础上进行算法优化。 利用两个样品的分光反射率数据相等, 则两个样品必然等色的特性, 改进计算机配色算法程序中的判别条件, 即通过MATLB编程计算, 在区间[0 1]中, 每间隔0.001, 循环未知参数M值, 选择全光谱反射率数据偏差最小时的参数M值计算拟合配比, 代替色差最小时的参数M值计算拟合配比, 并分别计算拟合样与标准样的相对配方偏差进行对比。 结果表明, 选择全光谱反射率数据偏差最小时参数M值对应的拟合配方, 一次色的平均配方相对偏差为0.560, 二次色为0.346; 选择色差最小时参数M值对应的拟合配方, 一次色的平均配方相对偏差为0.723, 二次色为0.383; 两种方法对比, 可以看出无论是一次色还是二次色, 优化算法后拟合样品与标准样品的配方相对偏差都比选择色差最小时对应的的相对配方偏差小, 即优化后的拟合配方更加接近真实配方, 配色精确度得到明显提高, 有利于减少后期打样次数, 提高配色效率。
Stearns-Noechel模型 参数M值 反射率偏差 配方相对偏差 色差 Stearns-Noechel model Parameter M Reflectivity deviation Formula relative deviation Chromatic aberration 
光谱学与光谱分析
2018, 38(8): 2488

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