介绍了一款L波段自偏压内匹配功率放大器。器件采用0.25 μm工艺GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯，内匹配技术对单胞管芯进行输入输出匹配，放大器的工作频带范围为1.2~1.4 GHz。采用自偏压技术，单电源供电，使电路更为简洁，使用方便。工作电压为28 V，占空比为10%，脉宽为300 μs，在输入功率为26 dBm时，频带内输出功率在40 dBm以上，功率附加效率大于60%，充分显示了GaN功率器件在单电源模块中的性能优势。
氮化镓(GaN) 自偏压 内匹配 GaN self-bias internal match 太赫兹科学与电子信息学报
2018, 16(5): 918
