对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化，发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小，绿光LED到6 h隧穿电流最小；同时，两种LED的反向漏电也最小、光通量最大，随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子，绿光LED的负加速因子的增加速度比蓝光LED大，衰减较快。该结果对GaN LED的改进有一定参考价值。

分别用黄色、红色荧光粉和黄色、红色、绿色荧光粉制备了两种高显色指数白光发光二极管(LED)，调整荧光粉的比例使显色指数达到最高。对两种样品进行光学测试，发现加绿粉的样品光通量比较大，这是因为加绿粉后绿光成分较多，而绿光的视效函数比红光的大得多。对两种样品进行10 ℃~90 ℃的变温测试，发现发光效率都降低，显色指数反而升高。发光效率降低一方面是由芯片的内量子效率降低引起的，另一方面是芯片的发射波长红移使其与荧光粉的激发波长不匹配，并且荧光粉在升温时激发效率会降低。显色指数升高是因为高温时芯片发出的蓝光光谱变宽，使得整个光谱相对于室温时的光谱更平滑，更接近太阳光谱。

制备了两种1 W白光功率发光二极管(LED), 这两种样品分别是对台湾和美国两家公司生产的蓝光芯片, 涂敷相同荧光粉和透明硅胶封装而成。 对制备好的LED进行了变温光学特性测试, 温度变化范围为15~75 ℃, 测试电流为350 mA。 结果表明: 温度变化对LED的峰值波长, 辐射通量、 色温等参数都有影响。 通过对光谱曲线的数据处理, 找到了LED性能随温度的变化关系, 并从原理上分析了峰值波长、 辐射通量、 色温随温度变化的原因, 提出了改进白光LED温度特性的建议。

用黄色和橙色硅酸盐荧光粉制备了白光LED, 调整黄粉和橙粉的比例得到不同的色温。 对样品进行光学测试, 发现黄粉与橙粉的比例小于7时, 黄光部分的峰值约590 nm, 比例大于7时, 黄光部分的峰值约570 nm; 显色指数和流明效率都是随色温的增大先上升后下降, 5 521 K时达到最优值, 这是由于低色温时, 荧光粉的浓度大导致不能有效激发, 光谱中红色成分过多导致显色指数低, 高色温时, 荧光粉浓度小导致蓝光不能有效利用, 光谱中红色成分过少导致显色指数低。 对样品进行10～80 ℃的变温测试, 发现流明效率降低并且幅度不同, 除了芯片本身的俄歇复合外, 还说明黄色和橙色荧光粉随温度上升激发效率下降程度不同, 橙色荧光粉的温度特性要优于黄色荧光粉。

对GaN基大功率蓝光发光二极管（LED）分别施加了-200，-400，-600，-800，-1100和-1500 V的反向人体模式静电打击，每次静电打击后，测量样品电学参数和光学参数的变化，研究了静电对LED可靠性的影响，并从理论上分析了相关衰减机理。结果表明，在-200，-400，-600和-800 V的打击后，有明显的软击穿，这是因为在有源区和限制层中产生了缺陷；在-1100 V和-1500 V的打击后，漏电很大并且光通量衰减为打击前的50%，这是因为大的静电使得有源区产生熔融细丝，导致小电流时LED不发光，大电流时光通量明显下降，致使LED失效。同时还提出了一种简单有效的抗静电保护电路。