为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究.研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低.实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL·s-1,工作气压9.9×10-2 Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V.

使用发射光谱诊断法和Langmuir探针诊断法,测量了螺旋波激发等离子体化学气相沉积装置中产生的氢等离子体的发射光谱和电流-电压曲线.运用日冕模型和Druyvestey方法,对不同放电参数条件下激发态氢原子密度﹑等离子体密度及电子能量分布的变化规律进行了研究.结果表明:激发态氢原子密度随射频功率增大而增大,随工作气压的增大先增大,后缓慢下降.等离子体密度随射频功率增大线性增大,随工作气压的增加也是先增大,出现峰值后缓慢下降.电子平均能量随射频功率的变化是先增大,后达到平衡;随着工作气压的增大逐渐减小.两种诊断方法得到的结果基本相符.在低温低压等离子诊断中,两种诊断方法结合使用,可以得到更准确和更多的等离子体信息.