基于接收信号强度算法的可见光室内定位系统具有结构简单的特点, 但是由于漫反射信道、系统噪声等因素, 其定位精度受到很大限制, 为此提出使用人工神经网络对室内可见光信道参数进行学习, 拟合室内信道参数的真实值, 实现高精度定位。首先, 使用CDMA调制技术消除室内可见多参考点光通信带来的码间干扰问题, CDMA解扩信号经过归一化操作后输入人工神经网络对坐标函数进行训练, 使之拟合室内可见光通信信道参数, 估计出接收机到各个LED参考点之间的空间距离。其次, 由于神经网络训练数据噪声及接收机信号噪声会影响定位精度, 我们提出使用Newton-Raphson迭代法, 进一步逼近测试点的真实坐标。实验结果表明, 在1 m×1 m×1.2 m的室内可见光通信定位系统模型中, 本系统在二维定位应用时平均定位误差为0.87 cm; 在三维定位应用时平均定位误差为1.47 cm。本文提出的基于接收信号强度的可见光室内定位系统, 使用CDMA调制技术, 接收信号经过解扩后输入人工神经网络对信道参数进行距离估计, 为了进一步地减小噪声等随机过程带来的定位误差, 提出一种定位专用的定位坐标解迭代逼近算法, 结果表明本系统在二维定位及三维定位均可实现很高的定位精度。

运用等离子体发射光谱,分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响,随着温度升高,N2第一正系B3Πg→A3Σ+u,N2第二正系C3Πu→B3Πg,N+2第一负系B2Σ+u→X2Σ+g,Zn以及Zn+活性基团等离子体发射光谱特征谱线强度逐渐增强;由于衬底温度升高,腔室中各离子动能增加,使得碰撞电离加剧,导致N2,N+2,Zn以及Zn+活性基团的等离子体离子密度增加;等离子体发射光谱分析结果表明衬底温度在一定范围内升高有利于氮化锌薄膜生长.采用离子源辅助磁控溅射技术在Al薄膜上制备Zn3N2薄膜;X射线衍射图谱(XRD)分析结果表明:室温下,反应生长出单一择优取向面(321)氮化锌薄膜;随着温度的升高,在Al膜上反应生长的氮化锌薄膜择优取向面逐渐丰富,出现(222),(400),(600),(411),(332),(431)以及(622)择优取向面,体现出随着衬底温度的升高,薄膜的结晶度逐渐增加.XP-1台阶仪分析的结果表明,随着衬底温度的升高,氮化锌薄膜的沉积率逐渐增大.场效应扫描电子显微镜(SEM)图表明氮化锌薄膜晶粒尺寸随着衬底温度的升高逐渐变小,表面结构更加致密,晶粒排列更加有序;SEM断面扫描显示Al膜和氮化锌薄膜结合非常紧密.衬底温度影响薄膜性能实验分析结果与等离子体发射光谱分析的结果基本一致,体现出等离子体发射光谱了解等离子体内在特性的有效、快捷性.

采用低温等离子体辅助气相沉积技术在低压常温条件下制备稳定的纳米铝膜。利用发射光谱和Langmuir双探针法分析射频感应耦合Ar等离子体成分及分布密度特性,结果显示在衬底附近等离子体密度衰减趋于平缓且均匀,浮动电位0.329 V;随着功率的增加,Ar+对成膜起主要影响。再结合铝膜的原子力显微结构,研究了不同的等离子环境条件对成膜质量及其紫外可见光谱的光学性质影响。结果表明射频离子源的加入,薄膜微结构发生较明显变化;随功率增加,膜反射率出现峰值;微结构特性对其光学性能影响较大,随着表面粗糙度的增加,紫外及可见光的透射率先减小后增大。

采用光谱诊断法和Langmuir单探针法对射频感应耦合Ar气等离子体特性进行分析。通过光栅光谱仪研究了低气压下Ar气等离子体的光谱强度的变化特性, 采用Langmuir单探针法测量不同条件下电子密度和电子温度。等离子体发射光谱的光谱强度随着气压和功率的增加而增强, 射频功率对光谱强度的影响较明显。当功率从120 W增加到180 W时, 光谱强度将会迅速增加, 等离子体发生E模向H模的模式转换。Langmuir单探针法测量的电子密度和电子温度在的变化规律符合E模向H模转换的变化规律。

对电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积工艺(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜过程中的氮气和三甲基镓有机金属气体(TMG)混合气体等离子体发射光谱进行分析。 结果表明TMG 在等离子体自加热条件下就发生离解, N2/TMG混合气体ECR等离子体主要以Ga气体粒子和亚稳态氮分子为主。 发射光谱特征谱线随微波功率变化分析表明: 当微波功率高于400 W时, 亚稳态氮分子浓度随着微波功率的增加而增加, 而高激发态氮分子以及氮分子离子浓度却随着减少。

采用TCP（Transverse coupled plasma）等离子体辅助电子枪蒸镀技术，在玻璃衬底上制备了TiN薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）研究了不同工艺条件对薄膜晶体结构和表面形貌的影响；用四探针法测量薄膜的电阻率变化。结果表明，所制备的TiN薄膜在（111）晶面有择优取向。与金属薄膜类似，TiN薄膜的平均表面粗糙度与电阻率之间存在近似线性关系，并且电阻率随残余应力增大而增大。

对第三代太阳电池的InGaP/GaAs双叠层模型结构进行了理论性改进，提出了将GaInNAs/GaAs量子阱结构生长于子电池GaAs的空间电荷区的模型，并对其子电池的吸收效率与量子效率进行了模拟计算，分析了此模型对提高叠层太阳电池的整体光电转换效率的可行性。

为了独立控制鞘层附近区域离子密度和离子能量分布, 采用光发射谱(OES)测量技术, 对不同射频功率、 放电气压和基底偏压下感应耦合等离子体鞘层附近区域辉光特性进行了研究。 原子谱线和离子谱线特性分析表明, 在鞘层附近区域感应耦合等离子体具有较高的离子密度和较低的电子温度。 改变放电气压和射频功率, 对得到的光谱特性分析表明, 鞘层附近区域离子密度随射频功率的增大而线性增大, 在低压下随气压的升高而增大。 低激发电位原子谱线强度增加迅速, 高激发电位原子谱线强度增加缓慢, 而离子谱线强度增加很不明显。 改变基底直流偏压, 对得到的发射光谱强度变化分析表明, 谱线强度随基底正偏压的增加而增大。 随着基底负偏压的加入, 谱线强度先减小而后增大； 直流偏压为－30 V时, 光谱强度最弱。 快速离子和电子是引起Ar激发和电离过程的主要能量来源。

利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜,实现了芯片的Si3N4薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.