作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
PN结分别制备在HgCdTe外延薄膜材料的Cd组分非线性分布区和线性分布区的高组分端,研究了具有组分梯度的HgCdTe探测器的光电特性。计算不同温度下组分梯度产生的内建电场,结果显示Cd组分线性分布产生的内建电场在100~200 V/cm,而Cd组分非线性分布使得样品表面薄层的内建电场高达2 000 V/cm,推测组分梯度产生的内建电场对光生少子运动的影响是引起两个样品光电性能差异的主要原因。通过分析样品响应率随温度的三种不同变化趋势,提出利用温度调控组分梯度产生的内建电场,有利于降低空间电荷效应,为大注入下提高HgCdTe探测器的饱和阈值提供了一种新的设计思路。
组分梯度 内建电场 HgCdTe外延薄膜材料 归一化响应光谱 响应率 component gradient built-in electric field HgCdTe epitaxial material normalized response spectrum responsivity 
红外与毫米波学报
2023, 42(3): 285
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所 中科院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结,并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺寸、器件物理、器件制备工艺和器件测试等几个方面因素对器件失效的可能原因进行了分析,首次提出碲镉汞线列光导器件的优值因子作为失效判据,为进一步理解碲镉汞线列光导器件的物理机理以及更好优化器件的筛选过程提供了参考,为碲镉汞线列光导器件应用中出现的失效问题提供了分析和解决的方向。
碲镉汞 光导器件 失效分析 HgCdTe photoconductive detector photoconductor failure analysis 
红外与毫米波学报
2022, 41(6): 1009
乔辉 1,2,*陈心恬 1,3赵水平 1兰添翼 1[ ... ]李向阳 1
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 山东大学 信息科学与工程学院, 山东 济南 250100
针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征, 认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨颗粒直径的15~20倍。通过少子寿命表征和光导器件性能的对比测试, 认为将该亚表面损伤层完全去除后, 材料的少子寿命和器件的光电性能会得到明显的提高。
化学机械抛光 亚表面损伤 椭圆偏振 少子寿命 碲镉汞 chemical-mechanical polishing sub-surface damage spectroscopic ellipsometry minority carrier lifetime HgCdTe 
红外与激光工程
2016, 45(12): 1204001

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