红外与毫米波学报
2022, 41(6): 1009
1 中国科学院上海技术物理研究所 1.传感技术国家重点实验室
2 3. 中国科学院大学, 北京 100039
3 中国科学院上海技术物理研究所 2. 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退, 表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电阻率增加。分析认为增大的压强使得材料内部产生了更多的填隙Hg离子, 增强了载流子受到的电离杂质散射作用; 同时材料内部也产生了更多的缺陷, 极化声子散射作用也因此加强。由此解释了在流片过程中出现的某一批次碲镉汞光导器件性能的恶化是该批次器件ICP刻蚀工艺中的气压参数增加所致。
ICP干法刻蚀 碲镉汞光导材料 刻蚀气压 电学特性 ICP dry etch MCT photo-conductive material etching pressure electric characteristics
1 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 山东大学 信息科学与工程学院, 山东 济南 250100
针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征, 认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨颗粒直径的15~20倍。通过少子寿命表征和光导器件性能的对比测试, 认为将该亚表面损伤层完全去除后, 材料的少子寿命和器件的光电性能会得到明显的提高。
化学机械抛光 亚表面损伤 椭圆偏振 少子寿命 碲镉汞 chemical-mechanical polishing sub-surface damage spectroscopic ellipsometry minority carrier lifetime HgCdTe 红外与激光工程
2016, 45(12): 1204001
1 中国科学院上海技术物理研究所 中科院红外成像材料与器件重点实验室
2 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
3 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院大学, 北京 100039
利用光刻胶作刻蚀掩模对半导体样品进行感应耦合等离子体干法刻蚀时发现光刻胶掩模在刻蚀后表面出现凸起和孔洞等异常现象, 等离子体会透过部分孔洞对样品表面产生刻蚀损伤。利用探针式表面轮廓仪和激光共聚焦显微镜对这些异常现象进行了分析, 认为是刻蚀时等离子体气氛中的紫外线对作为掩模的光刻胶进行了曝光作用而释放出一定量的氮气, 从而在光刻胶内外形成了压强差而使光刻胶局部表面产生微凸起; 当光刻胶的强度无法阻止内部氮气的膨胀时, 则会发生类似爆炸的效果, 在光刻胶表面形成孔洞状缺陷, 导致掩模保护作用的失效。
刻蚀 干法刻蚀 刻蚀掩模 光刻胶 感应耦合等离子体 etching dry etching etching mask photoresist inductively coupled plasma
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜, 结合HgCdTe器件工艺, 成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的“长波弱P”型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析, 获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数, 计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析.
碲镉汞 钝化 HgCdTe MIS MIS passivation
