1 四川大学原子分子物理研究所,四川,成都,610065
2 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
3 中国工程物理研究院
4 激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
采用空心阴极等离子化学气相沉积方法,以NH3/H2的混合气体及CH4气体为原料反应气体,成功地制备了非晶的CHN薄膜,研究了CHN薄膜的沉积速率与直流电压及反应气体流量的关系.同时用X射线光电子能谱(XPS)确定了不同条件下薄膜中N原子的百分比,用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面粗糙度及表面形貌进行了测量和表征.结果表明:薄膜中N原子的百分比最大为12%,薄膜的表面结构光滑、致密,表面粗糙度小于1 nm.
CHN薄膜 空心阴极 化学气相沉积 沉积速率 X射线光电子能谱 CHN films Hollow cathode Chemical vapor deposition Deposition rate X-ray photoelectron spectra（XPS） 强激光与粒子束
2005, 17(11): 1689
中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
简要叙述了自悬浮定向流方法制备铜纳米粉末的原理和包覆层薄膜的生长机理,采用空心阴极辉光放电对铜纳米粉末进行有机包覆,实验中CH4和H2的流量分别为6 ml/min和12 ml/min,工作电压为450 V,衬底与空心阴极的底端距离为2 cm,背景真空和工作气压分别为6 Pa和100 Pa,沉积速率为7.5 nm/min.用透射电镜(TEM)对铜纳米粉末进行了观察和分析,结果表明:铜纳米粉末呈球状,其粒径分布在10～100 nm之间, 平均粒径大小为50 nm;其包覆层的厚度大约为15 nm,而且该厚度可以通过调节空心阴极辉光放电的参数来控制.
纳米粉末 自悬浮定向流方法 空心阴极辉光放电 有机包覆 Nanoparticle Flow-levitation method Hollow cathode discharge Organic coating
中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
研究了不同衬底-阴极距离、直流电压和H2流量对a-CH薄膜沉积速率的影响.结果表明:衬底-阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低.用AFM观察了以该方法制得的448.4nm CH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm.最后测出了不同条件下CH薄膜的UV-VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率.
等离子体 化学气相沉积 空心阴极放电 CH薄膜 Plasma Chemical vapor deposition（CVD） Hollow cathode discharge CH films
1 四川大学,原子与分子物理研究所,四川,成都,610064
2 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
3 四川大学,原子与分子物理研究所,四川,成都,610064??br>
4 中国科学院,物理研究所,北京,100080
采用脉冲激光沉积技术制备了钴纳米薄膜,分析和讨论了不同背景气压和脉冲频率对钴纳米薄膜表面形貌的影响及纳米微粒的形成机理.实验结果表明:在低背景气压下,等离子体羽辉自身粒子之间的碰撞占主导作用,容易形成液滴;在较高背景气压下,等离子体羽辉边缘粒子和背景气体粒子之间的碰撞占主导作用,容易形成小岛并凝聚成微颗粒;在4Hz的脉冲重复频率和5Pa背景气压下生长出单分散性良好的钴纳米颗粒.
脉冲激光气相沉积 钴 单分散性 纳米薄膜 Pulsed laser deposition Cobalt Monodisperse Nano-thin films
