在Zn1-xMgxO中, x=0.4～0.6仍为一个岩盐矿和纤锌矿共存的结构, 影响了其晶格质量。本文利用等离子体辅助的分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上外延生长了ZnO/ZnMgO超晶格, 并改变其生长过程中的Ⅱ-Ⅵ比, 利用原子力显微镜、X射线衍射、透射谱和X射线光电子能谱对样品进行了表征分析。发现在较低氧分压下制备的样品结构以岩盐矿为主导, 而在较高氧分压下两相共存并以纤锌矿为主。这种相分离现象与裂解氧原子的密度有关。
超晶格 Ⅱ-Ⅵ比 相分离 MgZnO MgZnO ZnO ZnO superlattice Ⅱ-Ⅵ ratio phase segregation
厦门大学 福建省半导体材料与应用重点实验室 物理系及半导体光子学研究中心, 福建 厦门 361005
采用分子束外延方法在室温下于Si(001)表面上生长ZnO材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的ZnO混合多晶薄膜，其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不同参数的高温退火后，这些梯形台柱将变小，形成梯形纳米环，或分解为较小的纳米柱及其团簇结构等。分析表明：ZnO混合多晶薄膜的形成，以及表面纳米台柱的演变，与Si(001)衬底、较低温的生长温度及热效应等因素相关联。
闪锌矿结构 氧化锌 分子束外延生长 硅(001) zincblende ZnO MBE Si(001)
