在明确发光二极管（LED）器件输出动态光通量、负载电功率、发光效率、热功率系数之间关系的基础上，将理论模型拓展至包含LED驱动控制器的参数（频率、增益系数、电压幅值）以及散热器温度，从而通过调节LED器件参数以及驱动特性，控制白光LED照明系统最佳工作点的范围，进而分析照明系统闪烁指数、闪烁百分比、电压幅值、频率和LED光源参数之间的内在规律。提出一种基于纹波特性的白光LED器件动态光通量特性理论模型，该理论模型可准确预估白光LED照明系统在不同纹波特性下的动态照度变化、闪烁指数、闪烁百分比。通过测试不同工作条件下LED照明器件的照度、闪烁指数以及闪烁百分比，并与计算值进行比较，二者的平均误差为7.1%，计算结果和测量结果具有良好的一致性，证明了所提出的基于纹波特性动态及稳态光通量模型的有效性。由测试结果可知，LED光源在不同工作条件下闪烁指数以及闪烁百分比发生明显变化，这意味着需要通过合理地控制LED光源和驱动系统的参数，使照明系统的闪烁指数和闪烁百分比变化最小，从而满足IEEE国际标准对闪烁效应的要求。

利用飞秒脉冲激光激发Cu掺杂ZnO纳米棒, 研究其特有的非线性光学性质和激发机制。在激发波长为750 nm的荧光光谱中, 二次谐波峰非常弱, 几乎可以忽略, 存在非常强的激子发光峰和Cu掺杂导致缺陷发光峰。激发强度的增大会导致这两个发光峰强度呈非线性增大, 激子发光峰位产生明显红移, 而缺陷发光峰位没有变化。进一步增大激发强度, 缺陷发光峰强度会出现饱和甚至有所下降, 而激子发光峰强度持续增大。当激发波长增加到760 nm时, 从样品的荧光光谱可以清楚地识别到二次谐波峰和激子发光峰以及缺陷发光峰并存。随着激发波长的进一步增加, 二次谐波强度不断增大, 而激子发光峰和缺陷发光峰的强度却随之下降。当激发波长为790 nm和800 nm时, 未发现激子发光峰和缺陷发光峰, 非线性光谱以二次谐波为主导。研究结果表明, 通过选择合适的激发波长和激发强度, 可以实现发光颜色的转变, 使得Cu掺杂ZnO纳米棒在全光显示方面具有潜在的发展前景。

采用水热腐蚀法制备了铁钝化多孔硅样品, 样品光致发光谱的荧光峰位于2.0 eV附近, 半峰宽约为0.40 eV。激发波长从240 nm增大到440 nm的过程中, 荧光峰先红移再蓝移, 最后基本稳定, 变化曲线呈勺型。通过分析15片发光多孔硅样品的统计结果, 发现荧光峰逆转所对应的激发波长位于330 nm附近, 相应的激发光子能量约为3.8 eV。样品光致发光谱随激发波长的勺型变化过程与≡Si—O↑和≡Si—O↑…H—O—Si≡两类非桥氧空穴发光中心共同作用时的发光行为一致。

采用水热腐蚀法制备了4个腐蚀时间不同的铁钝化多孔硅样品，铁钝化多孔硅样品表面呈海绵结构，随着腐蚀时间增加，样品表面的平整度下降，腐蚀孔尺寸差别有增大的趋势。在250 nm光激发下，样品发光峰位于620 nm附近，半峰全宽约130 nm。腐蚀时间从10 min增加到40 min，4个样品的发光峰并未出现定向的红移或蓝移。结合样品傅里叶变换红外吸收光谱的结果，铁钝化多孔硅的光致发光行为可归因于量子限制发光中心作用，相应的辐射复合发光中心为非桥氧空穴。

采用水热腐蚀法在相同环境下制备了不同晶型的铁钝化多孔硅样品。同一样品表面具有相似的孔隙结构，不同样品形貌存在差异。在300 nm光激发下，样品发光峰位于618 nm附近，半高宽约为132 nm。傅立叶红外变换光谱显示样品中有强的Si—Si、Si—O—Si、Oy—Si—Hx化学键振动吸收。结果表明，水热腐蚀法制备的铁钝化多孔硅表面形貌与腐蚀过程的局域电极分布关系密切。样品的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用，并受非桥氧空穴发光中心数量影响。