1 闽南师范大学 物理与信息工程学院, 福建 漳州363000
2 闽南师范大学 化学与环境学院, 福建 漳州363000
采用水热腐蚀法制备了铁钝化多孔硅样品, 样品光致发光谱的荧光峰位于2.0 eV附近, 半峰宽约为0.40 eV。激发波长从240 nm增大到440 nm的过程中, 荧光峰先红移再蓝移, 最后基本稳定, 变化曲线呈勺型。通过分析15片发光多孔硅样品的统计结果, 发现荧光峰逆转所对应的激发波长位于330 nm附近, 相应的激发光子能量约为3.8 eV。样品光致发光谱随激发波长的勺型变化过程与≡Si—O↑和≡Si—O↑…H—O—Si≡两类非桥氧空穴发光中心共同作用时的发光行为一致。
多孔硅 铁钝化 光致发光 非桥氧空穴 水热腐蚀 porous silicon iron passivated photoluminescence non-bridging oxygen hole hydrothermal etching
1 闽南师范大学物理与信息工程学院, 福建 漳州 363000
2 闽南师范大学化学与环境学院, 福建 漳州 363000
采用水热腐蚀法制备了4个腐蚀时间不同的铁钝化多孔硅样品，铁钝化多孔硅样品表面呈海绵结构，随着腐蚀时间增加，样品表面的平整度下降，腐蚀孔尺寸差别有增大的趋势。在250 nm光激发下，样品发光峰位于620 nm附近，半峰全宽约130 nm。腐蚀时间从10 min增加到40 min，4个样品的发光峰并未出现定向的红移或蓝移。结合样品傅里叶变换红外吸收光谱的结果，铁钝化多孔硅的光致发光行为可归因于量子限制发光中心作用，相应的辐射复合发光中心为非桥氧空穴。
光电子学 多孔硅 铁钝化 光致发光 非桥氧空穴 水热腐蚀
1 闽南师范大学 物理与信息工程学院, 福建 漳州363000
2 闽南师范大学 化学与环境科学系, 福建 漳州363000
采用水热腐蚀法在相同环境下制备了不同晶型的铁钝化多孔硅样品。同一样品表面具有相似的孔隙结构，不同样品形貌存在差异。在300 nm光激发下，样品发光峰位于618 nm附近，半高宽约为132 nm。傅立叶红外变换光谱显示样品中有强的Si—Si、Si—O—Si、Oy—Si—Hx化学键振动吸收。结果表明，水热腐蚀法制备的铁钝化多孔硅表面形貌与腐蚀过程的局域电极分布关系密切。样品的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用，并受非桥氧空穴发光中心数量影响。
多孔硅 铁钝化 光致发光 非桥氧空穴 水热腐蚀 porous silicon iron passivated photoluminescence nonbridging oxygen hole center hydrothermal etching
