使用相对聚(3乙基噻吩）(P3HT)具有更低能带结构的聚{［9-(1辛基壬基)-9H-咔唑-2,7-2基］-2,5-噻吩二基-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基-2,5噻吩二基}(PCDTBT)作为电子给体材料和较C60衍生物(PC60BM)具有更广光谱吸收能力的C70衍生物(PC70BM)作为电子受体材料构建共混体系活性层，制备有机聚合物太阳能电池。通过控制活性层薄膜生长速度、环境得出在N2环境中静置10 min时聚合物电池达到了5.65%的高光电转换效率(PCE)。然后，通过进一步优化活性层薄膜厚度短路电流密度大幅提升至14.2 mA/cm2，PCE达到5.84%。结果表明，在不使用TiOx等光学间隔层的情况下，通过控制活性层薄膜生长过程和优化活性层薄膜厚度也可以大幅增加短路电流密度，获得高的PCE。

电磁感应透明的重要参量之一是透明窗口的光谱线宽。在Λ-型三能级原子系统中,电磁感应透明的光谱线宽由两低能级间的相干失相速率决定,若两低能级同属于原子基态的精细结构,则电磁感应透明窗口的极限线宽很窄。但较强的耦合场作用往往会导致电磁感应透明窗口的功率展宽,而减弱耦合场又会影响电磁感应透明的对比度和深度。为此,通过引入微波控制场共振作用于基态精细能级间构成三场作用下的准Λ-型四能级系统,利用微波控制场来抑制耦合场所引起的电磁感应透明窗口的功率展宽。结果表明,引入微波控制场不仅得到了双窗口电磁感应透明,而且在保持较好对比度的条件下,使得电磁感应透明的光谱线宽明显小于不加微波场的情况。

采用XeCl准分子激光实现了碳化硅薄膜的脉冲激光晶化,对退火前后薄膜样品拉曼散射谱特征进行了分析,探讨了激光能量密度对纳米碳化硅薄膜结构和物相特性的影响.结果显示晶态纳米碳化硅薄膜的拉曼散射峰相对体材料的特征峰显著宽化和红移,并显示了伴随退火过程存在着硅和碳的物相分凝现象.随着激光能量密度的增大,薄膜的晶化度提高,晶化颗粒增大,而伴随的分凝程度逐渐减小.

简要介绍了成核生长模型,并在此基础上采用随机抽样方法,模拟了卤化银感光材料中银簇的生成情况,再现了感光过程中各种银簇的反应过程以及它们之间的转化关系,得到了光电子行为与整个感光过程的一些基本依赖关系。

采用时空分辨的光学发射谱技术研究了脉冲XeCl准分子激光消融碳靶等离子体的光辐射特性,结果表明等离子体形成初期发光主要为连续辐射,主要出现在激光主脉宽内近靶区,约20ns后出现碎片的线状光谱,诸碎片发光具有不同时间行为。由此研究了等离子体时空特性及等离子体内碎片反应的物理机制,讨论了激光等离子体产生与发展的动力学过程。

研究了Xe/I2混合气体(气压70～1330 Pa)在直流辉光放电情况下XeI?匙挤肿拥男纬晒?程,得到了XeI?匙挤肿釉?240～270 nm波长范围内的荧光发射谱.并对XeI??(B→X)跃迁谱线强度随混合气体压力的变化进行了实验研究,发现气压为333 Pa时荧光最强;此条件下,放电等离子体的电子温度为13.2 eV,表明低气压放电等离子体中主要反应通道为快电子碰撞Xe使其跃迁至3P,随之与I2碰撞形成XeI(A,B,C).

采用脉冲TEA CO2激光诱发SiH4+CH4等离子体化学气相反应，合成了粒度分布均匀的纳米SiC球型陶瓷粉末，采用傅里叶红外光谱、X射线衍射、元素分析、透射电子显微镜等多种技术对粉末性能进行了分析，利用光学发射谱技术对反应过程进行了初步研究。

用光声激光偏转（OLD）测量了强TEA CO2脉冲激光辐照SiH4-H2系统产生等离子体淀积（LPCVD）硅薄膜过程中的激波效应,证明激光击穿SiH4诱发的激波效应是LPCVD中基本的气体动力学过程,并讨论了激波对膜生长的影响。