石墨烯是具有高迁移率、高热导率、高比表面积、高透过率及良好的机械强度等特性的二维材料, 在光电子器件领域被广泛用作透明电极及电荷传输层等。但由于石墨烯是零带隙材料, 为半金属性, 限制了其在半导体光电子器件领域的应用。为更加切合半导体产业应用的要求, 构建异质结已经成为相关领域实现应用的重要途径。国际上已有较多团队开展了石墨烯异质结相关研究, 目前已有较多报道。本文从石墨烯的性质出发, 讲述了石墨烯异质结的发展历程, 制备方法, 并从材料制备与器件结构的角度总结了基于石墨烯异质结光电子器件的研究进展。最后, 对石墨烯异质结在光电子器件领域的发展进行了展望。

随着紫外探测技术的不断发展，氧化物材料在紫外探测领域表现出传统探测器所不具备的优点而成为近年研究的热点，是继红外探测技术之后又一快速发展的军民两用探测技术。然而，氧化物基紫外光电探测器的广泛应用，仍然面临一些问题。本文对国内外紫外探测技术的应用和发展历史进行了概述，并对 3种金属氧化物紫外探测材料的晶体结构、性质及其器件研究进展进行了概括和讨论。最后，针对氧化物基紫外探测材料及器件在研究中所面临的问题，进行了分析，并对氧化物基紫外探测技术的发展进行了总结与展望。

随着石墨烯产业的蓬勃发展, 氧化石墨烯作为制备工程化应用石墨烯的中间体产物而备受关注.同时由于其自身优异的物理化学性质, 使其在各大领域均有前所未有的新兴应用.作者针对国内外氧化石墨烯的各种结构模型、制备方法、性质和相关应用, 以及氧化石墨烯的还原进行了总结与概述.在对比各种方法的基础上,作者提出了氧化剂和还原剂的选择是反应的关键要素, 归纳了选择的基本原则.最后, 指出氧化石墨烯制备和还原研究中还需解决的问题, 并对其发展和影响做出了评价和展望.

石墨烯具有一系列特殊的物理和化学性质，因而近年来受到人们的极大关注。然而目前石墨烯在光电子领域的应用尚不广泛，其主要原因是由石墨烯的半金属性决定的，所以将石墨烯由半金属转变为半导体就成为人们关注的一个焦点问题。我们针对石墨烯能带调制问题开展了系统的石墨烯基材料与器件的制备研究，开发了单层、双层石墨烯的CVD 制备技术、氧化石墨烯的“Tang-LauMethod”制备技术、石墨烯量子点的微波辅助水热制备技术及软模板制备技术、氯/硫掺杂石墨烯量子点水热制备技术等。系统地研究了制备参数对石墨烯基材料的性质影响，探讨了尺寸效应、掺杂元素等因素对石墨烯基材料能级的影响，成功制备得到了一系列具有半导体性质的石墨烯基材料，并初步探讨了这些材料在光电器件中的应用。我们经过多年的研究，掌握了石墨烯基材料制备的核心技术，并成功建立了一套石墨烯能带调制技术。

石墨烯是一种具有零带隙、室温下极高的电子迁移率、极低的电阻率以及高的透光性等许多独特性能的新型碳材料, 关于石墨烯的相关研究引起了人们的广泛关注, 其已成为凝聚态物理和材料科学的研究前沿。简要介绍了石墨烯的能带结构和性质, 重点讨论了石墨烯在光电探测领域的应用及研究现状, 指出了存在的不足并展望了未来的发展方向。