为了满足空间同轴三反相机对大口径凸非球面高精度的面形质量和精确的几何参数控制要求, 提出以计算机控制确定性研抛工艺为核心的多工序组合加工及检测技术。在加工阶段, 首先利用超声振动磨削技术对非球面进行面形铣磨, 其次应用机器人对非球面面形进行快速研磨和粗抛, 最后采用离子束修形技术实现非球面的高精度加工; 在检测阶段, 首先利用三坐标测量机对铣磨和研磨过程中非球面的面形及几何参数进行控制, 进入干涉仪测量范围后, 再采用Hindle球法对非球面光学参数进行干涉检测。结合工程实例, 对一口径520 mm的凸双曲面次镜进行了加工及检测, 其面形精度RMS为0.015λ(λ=632.8 nm), 几何参数控制精度ΔR误差为0.1 mm、ΔK优于0.1%, 满足光学设计技术指标要求。
光学加工 机器人 离子束修形 次镜 optical fabrication robot ion beam figuring secondary mirror 红外与激光工程
2017, 46(8): 0818002
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033
2 中国科学院 研究生院,北京100039
3 北方液晶工程研究开发中心,吉林 长春 130031
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响。所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大。最小方块电阻可达17.6 Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10-4 Ω·cm。另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上。
磁控溅射 氩气压强 GZO GZO magnetron sputtering argon gas pressure
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春 130033
2 中国科学院 研究生院,北京100049
3 北方液晶工程研究开发中心,吉林 长春130033
采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量。其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1 nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势。制备了底栅型ZnO 薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性。
氧化锌薄膜晶体管 氧化锌薄膜 X射线衍射 光致发光 ZnO-TFT ZnO thin film XRD PL
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 北方液晶工程研究开发中心,吉林 长春130031
2 中国科学院 研究生院,北京100039
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。
透明非晶态氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示器 集约化模型 transparent amorphous oxide semiconductors thin-film transistors active matrix organic light emitting diode active matrix electrophoretic display compact model
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 北方液晶工程研究开发中心 吉林 长春130031
2 中国科学院 研究生院,北京100039
分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法——自动调节存储电容的电压以保证电流不变。着重提出了电流缩放比的定义,对传统结构、电流镜结构、分压结构和电容耦合结构这4种电流型AM OLED像素驱动电路的电流缩放比进行了比较和分析。在这4种电路中,电流缩放比依次增大,显示出电流型像素电路在解决电容充电时间问题上的进步与完善。
有源矩阵OLED 电流型像素电路 薄膜晶体管 阈值电压漂移 电流缩放比 active-matrix OLED current programmed pixel circuit thin-film transistor threshold voltage shift current scaling ratio
