1 复旦大学 现代物理研究所 上海 200433
2 理论物理专款上海核物理理论研究中心 上海 200438
3 中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800
4 中国科学院大学 北京 100049
相对论重离子对撞机（Relativistic Heavy Ion Collider，RHIC）-STAR（Solenoid Tracker at RHIC）实验测量了7.7~200 GeV能量下Au+Au碰撞中的净质子（净重子的代表）、净电荷和净K介子（净奇异数的代表）多重数分布的累积量，发现净质子四阶累积量与二阶累积量之比（）呈现出了非单调的能量依赖性行为。在相对论重离子碰撞实验中只能测到末态粒子的信息。因此，基于多相输运（A Multi-Phase Transport，AMPT）模型对Au+Au碰撞系统中守恒荷（重子数、电荷数和奇异数）的涨落性质进行了研究，发现AMPT模型的结果基本能描述RHIC-STAR实验结果。更重要的是，利用AMPT模型了解了相对论重离子碰撞动力学演化过程中几个关键效应（守恒荷粒子的产生和扩散、强子化、强子再散射和弱衰变）对守恒荷涨落演化及其粒子关联函数的影响。发现正负电荷之间关联可能源于弦熔化机制，重子（质子）关联函数符合重子数守恒期望，奇异数（净K介子）的关联函数源于对产生，这些代表量与守恒荷的对应关系行为上定性一致，但数量不同。虽然AMPT模型目前缺乏临界涨落机制，但我们的结果可以为守恒荷涨落的研究提供一条基线，这有助于在相对论重离子碰撞中寻找量子色动力学（Quantum Chromodynamics，QCD）临界点（Critical End Point，CEP）附近可能的临界行为。初步在模型中考虑临界密度涨落，结果发现它起着一定的作用。
守恒荷 涨落 累积量 关联函数 QCD相变 临界点 Conserved charge Fluctuation Cumulants Correlation functions QCD phase transition Critical end point (CEP)
1 中国空间技术研究院 宇航物资保障事业部, 北京 100029
2 哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院, 黑龙江省 哈尔滨 150001
3 哈尔滨师范大学 物理与电子工程学院, 黑龙江省 哈尔滨 150025
选用35 MeV Si离子, 针对NPN及PNP型双极晶体管(BJT)进行辐照实验, 探究重离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷在不同发射结偏置条件下的影响规律。通过原位测试不同偏置条件的双极晶体管电流增益等参数随辐照注量的变化关系, 研究了发射结偏置条件对双极晶体管辐射损伤的影响。此外, 采用深能级瞬态谱(DLTS)针对辐照后的双极晶体管进行了测试, 得到了双极晶体管内的辐射缺陷信息。基于电性能测试和DLTS分析结果可以看出, 双极晶体管辐照时所施加的偏置条件能够明显地影响器件的电性能参数和器件内的深能级缺陷浓度, 不同类型的缺陷对于电性能的影响也存在明显差异。
双极晶体管 重离子辐照 位移辐射 深能级缺陷 bipolar junction transistor heavy ions displacement radiation deep level defects 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(5): 874
1 哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院, 黑龙江 哈尔滨150001
2 中国空间技术研究院 载人航天总体部, 北京 100094
无论氢在电子器件内部以何种形式(H2分子、H原子或H+离子)存在, 均会对电子器件电离损伤产生作用, 进而影响器件的抗辐照能力。本文深入研究了氢气和空气气氛条件下1 MeV电子辐照栅控横向PNP(GLPNP)型双极晶体管的辐射损伤缺陷演化行为。利用Keithley 4200SCS半导体参数测试仪对不同气氛下辐照过程中晶体管进行在线原位电性能参数测试, 研究晶体管电性能退化与电子辐照注量和氢气深度之间的关系; 基于栅扫技术(GS)和深能级瞬态谱技术(DLTS), 研究双极晶体管中氢诱导电离损伤缺陷演化的基本特征。研究表明, 与空气气氛相比, 氢气气氛下电子辐照导致GLPNP的基极电流增加显著, 而集电极电流明显降低, 产生更多的氧化物电荷和界面态, 这些现象均说明氢气加剧双极晶体管的电离辐射损伤。
双极晶体管 电离辐射 界面态 深能级瞬态谱仪 栅扫技术 bipolar junction transistor ionization radiation interface traps deep level transient spectroscopy Gate Sweep technique 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(4): 690
