1 上海大学 材料科学与工程学院, 上海200072
2 上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海200072
利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al2O3为界面修饰层的TFT器件。HfSiOx薄膜经Al2O3薄膜修饰后, 薄膜表面粗糙度从0.24 nm降低至0.16 nm。Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好, 以Al2O3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升, 具体表现为: 栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小, 器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低, 迁移率与开关比增大。研究证明, 溶液法制备Al2O3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层。
溶液法 薄膜晶体管 界面修饰层Al2O3 solution process thin film transistors modification layer Al2O3
1 西南石油大学 机电学院, 成都 610050
2 国防科学技术大学 理学院, 长沙 410073
3 湖南稀土金属材料研究院, 长沙 410014
提出了粗糙阴极的气体火花开关击穿模型, 通过粗糙层厚度和场强增强系数对阴极粗糙度进行了描述, 利用概率论研究开关的击穿情况, 分析了气体压强对粗糙阴极气体火花开关稳定性、击穿场强随气压的变化曲线以及开关绝缘恢复速度的影响, 研究发现当阴极相对于电子平均自由程足够粗糙时, 开关具有最佳的稳定性, 当阴极粗糙结构尺度与电子平均自由程相当时, 开关具有最佳的绝缘恢复特性。
气体火花开关 粗糙度 击穿概率 稳定性 重复频率特性 spark gap switch roughness breakdown probability stability repetition property
