1 上海大学 材料科学与工程学院, 上海200072
2 上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海200072
利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al2O3为界面修饰层的TFT器件。HfSiOx薄膜经Al2O3薄膜修饰后, 薄膜表面粗糙度从0.24 nm降低至0.16 nm。Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好, 以Al2O3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升, 具体表现为: 栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小, 器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低, 迁移率与开关比增大。研究证明, 溶液法制备Al2O3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层。
溶液法 薄膜晶体管 界面修饰层Al2O3 solution process thin film transistors modification layer Al2O3
