作者单位
摘要
1 Laboratory of Solid-State Optoelectronics Information Technology, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing00083, China
2 School of Electrical and Computer Engineering,University of Oklahoma,Norman 73019,USA
3 Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering,University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China
4 Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy,University of Oklahoma,Norman 73019,USA
通过对两种结构参数与设计偏差较大的带间级联激光器(ICL)的研究,探讨了器件性能在结构变化下的耐受性。在300 K时,即使和4.6 μm的设计波长相比蓝移700 nm以上,激光器仍然性能良好,其阈值电流密度低至320 A/cm2。此研究为带间级联激光器在结构变化方面的耐受性提供了坚实的实验依据。
III-V族半导体 带间级联激光器 中红外 量子阱 II类异质结 III-V semiconductors interband cascade lasers mid-infrared quantum wells type-II heterostructures 
红外与毫米波学报
2020, 39(2): 137

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