1 中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800
2 中国科学院大学杭州高等研究院 物理与光电工程学院，浙江 杭州 310024
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083
4 复旦大学 光电研究院 上海市智能光电与感知前沿科学研究基地，上海 200433
5 复旦大学 芯片与系统前沿技术研究院上海 200433
nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流，这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度。由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在，基于III-V化合物（包括二类超晶格材料）的nBn红外探测器得到了快速发展。通过理论模拟，基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流。然而，去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展。本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制，并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势。
nBn红外探测器 Sb基III-V族半导体 二类超晶格 碲镉汞 nBn infrared detector Sb-based III-V semiconductor type-II superlattice HgCdTe
1 Laboratory of Solid-State Optoelectronics Information Technology, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing00083, China
2 School of Electrical and Computer Engineering，University of Oklahoma，Norman 73019，USA
3 Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering，University of the Chinese Academy of Sciences，Beijing 100049，China
4 Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy，University of Oklahoma，Norman 73019，USA
通过对两种结构参数与设计偏差较大的带间级联激光器（ICL）的研究，探讨了器件性能在结构变化下的耐受性。在300 K时，即使和4.6 μm的设计波长相比蓝移700 nm以上，激光器仍然性能良好，其阈值电流密度低至320 A/cm2。此研究为带间级联激光器在结构变化方面的耐受性提供了坚实的实验依据。
III-V族半导体 带间级联激光器 中红外 量子阱 II类异质结 III-V semiconductors interband cascade lasers mid-infrared quantum wells type-II heterostructures
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083
将少量氮原子加入III-V族半导体后可引起能带减小，因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质，并且具有应用 于新型光电器件的潜力。特别是，备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值，并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。
稀氮III-V族半导体 中长波红外器件 dilute nitride III-V semiconductor InAsN InAsN InSbN InSbN medium-long wave infrared photoelectric device
