1 北京宇航系统工程研究所, 北京 100076
2 中国运载火箭技术研究院, 北京 100076
对RS触发器中金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的烧毁作用进行研究,通过仿真分析在不同入射端口、不同上升时间的条件下RS触发器的损伤阈值,结合其内部温度分布图完成失效机理分析,进而得出对于上升时间长的强电磁脉冲,需要更高的峰值场强、更长的时间才能将RS触发器烧毁。
上升时间 RS触发器 电磁脉冲 损伤阈值 失效机理 rise time RS flip-flop electromagnetic pulse damage threshold failure mechanism 强激光与粒子束
2017, 29(8): 083202
