1 北京宇航系统工程研究所, 北京 100076
2 中国运载火箭技术研究院, 北京 100076
对RS触发器中金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的烧毁作用进行研究,通过仿真分析在不同入射端口、不同上升时间的条件下RS触发器的损伤阈值,结合其内部温度分布图完成失效机理分析,进而得出对于上升时间长的强电磁脉冲,需要更高的峰值场强、更长的时间才能将RS触发器烧毁。
上升时间 RS触发器 电磁脉冲 损伤阈值 失效机理 rise time RS flip-flop electromagnetic pulse damage threshold failure mechanism 强激光与粒子束
2017, 29(8): 083202
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 长春市中科软件有限公司, 吉林 长春130012
合成了5-(4-氨基苯基)-10,15,20-三苯基卟啉(ATPP), 并成功将其以共价嫁接的形式固载于介孔二氧化硅薄膜。基于卟啉化合物对酸碱的特异性响应, 实现了对RS触发器逻辑功能的模拟。卟啉化合物被共价固载于介孔薄膜材料使得该分子逻辑器件具有相对较大的表面积、周期性排布的均一孔道结构以及高的光透过性等介孔薄膜材料的优异性质。这种混合多孔结构不但有利于嫁接于介孔材料中的卟啉与酸碱的更有效相互作用, 而且还使酸碱输入能够被更加彻底地清除。
卟啉 分子逻辑 介孔分子筛薄膜 共价接 RS触发器 porphyrin molecular logic mesoporous silica thin film covalently connected RS-latch
1 清华大学 电子工程系, 清华信息科学与技术国家实验室（筹）, 北京 100084
2 北京宇航系统工程研究所, 北京 100076
利用实验室自主开发的二维半导体器件-电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究，发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内。RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低，当脉冲宽度大于80 ns后阈值变化很小。根据仿真结果，通过热传导方程对RS触发器的烧毁情况进行建模，得到了不同脉冲宽度核电磁脉冲注入下RS触发器烧毁功率阈值的理论模型，仿真结果证明了理论模型的正确性。
核电磁脉冲 脉冲宽度 RS触发器 器件物理仿真 烧毁 nuclear electromagnetic pulse pulse width RS flip-flops device simulation burnout 强激光与粒子束
2014, 26(5): 053203
