理论分析和仿真研究了重频超宽带脉冲对低噪声放大器(LNA)的干扰特征,给出了高斯脉冲幅度、脉宽及重频等参数对LNA干扰效果的规律,对工作于40~80 MHz频段的接收机LNA开展了相关验证实验.结果表明:干扰特征主要由LNA工作频带和脉冲参数决定;不同脉冲参数对干扰的效果影响不同,脉冲幅值的影响最显著;在验证实验研究的参数范围内,增大高斯脉冲幅度、脉宽和重频均有利于增强对LNA的干扰效果.

利用实验室自主开发的二维半导体器件-电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究，发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内。RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低，当脉冲宽度大于80 ns后阈值变化很小。根据仿真结果，通过热传导方程对RS触发器的烧毁情况进行建模，得到了不同脉冲宽度核电磁脉冲注入下RS触发器烧毁功率阈值的理论模型，仿真结果证明了理论模型的正确性。

从基本半导体物理出发, 通过求解载流子连续性方程, 建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度关系的解析理论模型。通过与仿真结果以及文献中实验数据的对比, 验证了该理论模型的正确性。该理论模型表明, 引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值首先随着脉冲宽度增加逐渐降低, 但是存在一个明显拐点区域, 当脉冲宽度超过该区域之后, 引起闩锁效应的功率阈值变化不甚明显。

利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器, 研究了CMOS反相器在1 MHz～20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明：低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作；高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容耦合到输出端, 干扰CMOS反相器的工作状态；CMOS反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低。

以实验室自主研发的2维半导体器件-电路联合仿真程序用于分析高功率微波注入下半导体器件的毁伤机理，以此2维半导体器件-电路联合仿真程序为基础加以扩展，添加了电磁波辐照射下微带线的SPICE电路模型。扩展后的程序可以同时用于分析平面波入射下含半导体器件的PCB电路的高功率微波辐照效应和置于带孔缝屏蔽腔中的PCB电路的高功率微波辐照效应。应用此仿真程序分析了一个含有低噪声放大器的简单PCB电路，得到了该PCB电路在不同形式平面波入射下低噪声放大器的烧毁阈值，在该PCB电路置于屏蔽腔中时，低噪声放大器输入端口出现耦合干扰电压情况。

通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管, 研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响。发现脉冲宽度在ns至μs量级时, 脉冲功率随脉冲宽度上升而下降, 并且近似成反比。在此基础上, 基于PIN二极管的Leenov模型和电路的戴维南定理对其机理进行了分析。在脉冲宽度由ns向μs量级变化中, 器件热效应由绝热加热转为有热传导的加热；与此同时, 其实际吸收功率由与入射功率成正比转为与入射功率开方成正比；此二者共同作用导致了脉冲宽度对烧毁影响。

借助自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了电磁脉冲从发射极注入双极型晶体管时,外电路的影响,分析了共基极接法晶体管的电流分配系数,然后在此基础上研究了3种典型外电路元件的影响.结果表明:当脉冲从发射极注入时,基极外接电阻对器件烧毁过程影响不大;集电极外接正电压源等效于削减电磁脉冲的幅度,有延缓器件烧毁的作用;集电极外接电阻能明显提高器件对电磁脉冲的耐受性.

空间电磁脉冲注入硅双极型晶体管后可能会导致晶体管烧毁.借助2维数值仿真和理论分析研究了基极注入短电磁脉冲对双极型晶体管的作用,得出结论:晶体管的热斑位于基极边缘,由于该点既是电场峰所在,又是电流最密集之处,热量产生集中,因此基极注入脉冲使晶体管烧毁所需的能量比其它两电极注入要少;在基极注入短脉冲作用下,晶体管烧毁所需能量几乎不随脉冲宽度变化;烧毁所需脉冲功率近似与脉冲宽度成反比.

利用时域有限差分法,对双极型晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的瞬态响应进行了2维数值模拟,研究了电磁脉冲从不同极板注入时BJT的响应情况,根据温度分布的集中程度分析了发生烧毁的难易程度.模拟得出:发射极注入最容易导致烧毁,集电极注入次之,基极注入相对不易导致烧毁;发射极注入烧毁所消耗能量随着脉冲电压上升而下降,到30 V以后基本与电压的升高无关,集电极注入烧毁所消耗的能量则随着电压上升而上升,到100 V以后由于BE结上热点的出现而开始下降.

利用时域有限差分法,对双极型晶体管在强电磁脉冲作用下的瞬态响应进行了2维数值模拟,分析了器件烧毁过程中电场、电流密度、温度等参数的分布及变化情况,分别观察了低电压和高电压脉冲作用下烧毁过程中热点的形成过程,并得到了器件烧毁所需时间以及能量与脉冲电压幅度之间的关系.在电压脉冲较低时,烧毁点位于通道中靠近集电极的位置,当脉冲电压达到一定幅度的时候,由于发射极与集电极之间发生雪崩击穿,基极和发射极之间电势会抬高,从而引起基极和发射极之间的击穿,形成新的热点,并在电压幅度约高于100V的情况下会率先达到烧毁温度.随着脉冲电压幅度的增高,晶体管烧毁所需时间呈负指数减少,而所需能量在55～100V之间接近于线性增长,直到电压幅度约高于100V时才开始减少.