清华大学 电子工程系, 微波与数字通信技术国家重点实验室, 北京 100084
利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器, 研究了CMOS反相器在1 MHz～20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明：低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作；高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容耦合到输出端, 干扰CMOS反相器的工作状态；CMOS反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低。
CMOS反相器 器件物理模拟 电磁干扰 翻转 耦合 CMOS inverter device simulation electromagnetic interference flip coupling
