以中心位置携带孔缝的机载电子设备屏蔽腔体为研究对象, 建立能够计算平面波辐照下腔体屏蔽效能的BLT(Baum-Liu-Tesche)方程。针对Robinson孔阵阻抗计算误差较大这一问题, 引入偏心系数Cmk修正孔阵阻抗, 修正后BLT方程能准确计算开有任意位置孔阵腔体的屏蔽效能。通过对电磁波电场进行矢量分解, 实现了任意极化角度下屏蔽腔体屏蔽效能的计算。结果表明, 屏蔽腔体屏蔽效能随孔缝数量的增加而升高, 极化角度的增大会增强屏蔽腔体电磁屏蔽能力。将BLT方程计算结果与Robinson法结果、CST仿真结果进行对比, 证明BLT方程具有准确性, 为计算机载电子设备屏蔽腔体屏蔽效能提供了一种有效方法。

电磁脉冲作用于屏蔽腔内的微带线电路的过程十分复杂。目前已有的研究存在局限，缺少将场分析与电路分析结合起来的研究方法。通过一个混合模拟方法计算了电磁脉冲辐照下的含屏蔽腔的微带线电路上的耦合电压。该方法通过建立腔体与微带线的电磁拓扑模型，利用 BLT方程计算得到电磁脉冲在微带线上的耦合电压，结果表明电场强度为 1 000 V/m的电磁脉冲会在微带线终端产生 1.5 V左右的耦合电压。通过电路仿真软件仿真计算了外辐射场对电路工作状态造成的影响，外辐射场在 300 V/m时会影响信号放大电路的正常工作。

外界电磁场通过孔缝耦合进入屏蔽腔, 并经由线缆对腔内电子设备造成干扰, 这是电磁兼容中需要考虑的重要问题, 而数值法分析此类尺寸跨度大的电磁问题效率过低。基于电磁拓扑和等效电路法, 提出一种快速计算外界平面波辐照下开孔屏蔽腔内传输线负载所受电磁干扰的解析算法。首先利用电磁拓扑将整个耦合问题分解为两个独立的子问题：外界平面波辐照下开孔空腔内的耦合场问题与耦合场辐照下孤立传输线的响应问题, 然后提出基于等效电路法求解空腔内耦合电场的计算方法, 最后利用场线耦合BLT方程求解耦合电场对孤立传输线负载造成的电磁干扰。经CST仿真验证, 该解析算法能有效计算任意位置开(多)孔屏蔽腔内任意放置传输线负载所受的电磁干扰。相比于数值法, 该解析算法不仅花费更少的计算时间与资源, 且能用于参数影响规律的研究。

为了分析带有孔缝双层金属机壳的屏蔽效能,采用广义散射矩阵级联的思想,将多层金属腔体近似等效为若干个能够传输多个模式的波导级联,提出了一种使用模式匹配法和基于矩量法求解混合位积分方程的全波混合算法。该算法考虑了腔体结构、孔缝排列形式、入射波极化方向以及高次模等因素对屏蔽效能的影响。通过将数值仿真结果与经典算法仿真结果进行对比,验证了其具有较高的准确性和有效性。研究结果表明：双层金属腔体的屏蔽效能要优于单层金属腔体的屏蔽效能,适当地增加双层金属腔体上孔缝所在侧壁之间的距离可以提高屏蔽效能,当双层金属腔体侧壁上的孔缝平行排列时,平行极化下的屏蔽效能要优于垂直极化下的屏蔽效能,而当孔缝交叉排列时,平行极化和垂直极化下屏蔽效能的优劣则并不明显。

以实验室自主研发的2维半导体器件-电路联合仿真程序用于分析高功率微波注入下半导体器件的毁伤机理，以此2维半导体器件-电路联合仿真程序为基础加以扩展，添加了电磁波辐照射下微带线的SPICE电路模型。扩展后的程序可以同时用于分析平面波入射下含半导体器件的PCB电路的高功率微波辐照效应和置于带孔缝屏蔽腔中的PCB电路的高功率微波辐照效应。应用此仿真程序分析了一个含有低噪声放大器的简单PCB电路，得到了该PCB电路在不同形式平面波入射下低噪声放大器的烧毁阈值，在该PCB电路置于屏蔽腔中时，低噪声放大器输入端口出现耦合干扰电压情况。

提高**系统和设备对电磁脉冲的防护能力意义重大，而屏蔽技术则是防护电磁干扰的主要手段。介绍了屏蔽原理，建立了双层和带有分仓的孔缝矩形屏蔽腔的物理模型，使用有限元软件仿真计算了其屏蔽效能和腔体的谐振频率。结果表明：与单层屏蔽腔相比，双层屏蔽腔有着更高的屏蔽效能；分仓可以提高其内部空间的屏蔽效能。这对屏蔽体的设计和提高设备对电磁脉冲的防护能力具有一定的理论价值和实际意义。

在考虑电磁波与电子设备的耦合时,屏蔽腔中电路板端口对入射电磁波的电压响应是一个重要的参数.分别计算了微带线电路板端口在自由空间和在屏蔽腔内这两种不同情况下的电压响应,以及屏蔽腔内耦合系数的变化.对所得结果进行了比较分析,结果表明,在自由空间时,响应电压频谱为连续的变化,而在屏蔽腔内时,只有在本征模的频率处才会激励起端口电压,频谱分布变为分立的.当屏蔽腔上开有窄缝时,窄缝方向和入射场极化方向对激励起来的端口电压都有影响,而电场极化方向和微带线方向之间的关系,是决定端口激励电压大小的关键因素.