1 中国科学院云南天文台，昆明 650000
2 云南师范大学 物理与电子信息学院，昆明 650500
采用分子束外延技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管.用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后，二极管漏电流密度降低了三个数量级，零偏阻抗R0达到106 Ω，R0A达到103 Ω cm2.通过测量电流密度与光敏元周长面积比的关系可知表面漏电不是主要漏电成分；电容电压特性曲线表明吸收层i层背景掺杂浓度约4～5×1014cm－3.在空气中放置一个月后再次测试，发现响应率和探测率几乎没有变化.与化学硫化和SiO2薄膜钝化方法相比，阳极硫化方法是一种更简单和有效的钝化方法.
红外探测器 钝化 电流电压特性 超晶格 表面漏电 阳极硫化 Infrared detector Passivation Current-voltage characteristic InAs/GaSb InAs/GaSb Superlattices Surface leakage current Anode sulfur
