1 四川大学物理科学与技术学院微电子学系, 成都 610064
2 微电子技术四川省重点实验室, 成都 610064
3 中国科学院固体物理研究所, 合肥 230031
提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度, 但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响, 本文对低温分子束外延技术（LT-MBE）生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析, 发现样品中存在大量的As反位缺陷（AsGa）、Mn的间隙位缺陷（MnI）、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷, 这些缺陷都会影响外延层的光谱特性, 同时也会影响器件的电学性能。
GaMnAs 缺陷 红外光谱 光电导 GaMnAs defect infrared spectra photoconduction
