1 中国科学院固体物理研究所 材料物理重点实验室, 合肥 230031
2 中国科学技术大学, 合肥 230026
采用金属辅助化学刻蚀方法结合纳米球模板技术制备出了有序硅纳米线阵列。硅纳米线阵列经过高温热氧化形成一定厚度的氧化层, 再使用稀释的HF溶液去除表面氧化层得到可控直径/周期比、低孔隙密度的有序纳米线阵列。主要研究了氧化温度、氧化时间对硅纳米线形貌的影响, 并根据扩展的Deal-Grove模型计算了硅纳米线氧化层厚度与氧化时间的关系, 讨论了氧化过程中应力分布的影响, 理论计算结果与实验结果一致。最后, 采用两步氧化的方法制备出了低直径/周期比(约0.1)、低孔隙密度的有序硅纳米线阵列。
金属辅助化学刻蚀 热氧化 低直径/周期比 硅纳米线 扩展Deal-Grove模型 metal-assisted chemical etching thermal oxidation low diameter-to-pitch ratio silicon nanowire extended Deal-Grove model
中国科学院固体物理研究所 中国科学院材料物理重点实验室, 合肥230031
Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层, 可显著改善Au在硅表面的成岛趋势, 获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时, 针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明, Cr在刻蚀液中是稳定的, 因此阻碍了Au催化刻蚀反应, 而Ti与反应溶液快速反应, 不影响Au对Si衬底化学刻蚀的催化作用。基于以上工作, 以PS球为模板沉积制备Ti/Au(3nm/20nm)优质膜, 使用金属辅助化学刻蚀, 制备了有序的Si纳米线阵列。
Au膜 金属辅助化学刻蚀 Si纳米线 浸润层 低成本 Au film metal-assisted chemical etching(MACE) Si nanowires wetting layer low-cost
蔡娟露 1,2,3,*程兴华 1,2,3钟玉杰 1,2,3何志刚 1,2,3[ ... ]石瑞英 1,2,3
1 四川大学物理科学与技术学院微电子学系, 成都 610064
2 微电子技术四川省重点实验室, 成都 610064
3 中科院固体物理所
利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数, 发现GaAs掺入Mn后, ωTO向低频方向移动, ωLO基本保持不变, ε∞和εs均减小, γ有很大变化。并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷, 这种缺陷会影响晶格质量, 导致γ发生很大变化。
遗传算法 洛伦兹振子模型 缺陷 红外光谱 GaMnAs GaMnAs genetic algorithm lorentz oscillator model defect XRD XRD infrared spectroscopy
1 四川大学物理科学与技术学院微电子学系, 成都 610064
2 微电子技术四川省重点实验室, 成都 610064
3 中国科学院固体物理研究所, 合肥 230031
提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度, 但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响, 本文对低温分子束外延技术（LT-MBE）生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析, 发现样品中存在大量的As反位缺陷（AsGa）、Mn的间隙位缺陷（MnI）、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷, 这些缺陷都会影响外延层的光谱特性, 同时也会影响器件的电学性能。
GaMnAs 缺陷 红外光谱 光电导 GaMnAs defect infrared spectra photoconduction
