1 重庆光电技术研究所, 重庆400060
2 中国电子科技集团公司第二十四研究所, 重庆 400060
采用有限元分析方法对制冷封装CCD工作在低温时光窗外表面温度过低产生露珠的现象进行了研究, 分析了光窗与芯片表面(冷端)不同距离时光窗的最低温度以及内部填充不同气体时光窗的最低温度。通过有限元分析得到了光窗不产生露珠时的最优封装设计结构。
有限元分析 制冷封装 露珠 封装设计 finite element analysis cooling package dewdrop package design
针对某型CCD图像传感器划片过程中产生的静电损伤、崩边等缺陷造成器件失效, 通过优化划片工艺条件, 避免了静电损伤, 减少了崩边缺陷, 封装的成品率由48%提高至96%。
CCD图像传感器 划片 崩边 静电损伤 优化 CCD image sensor dicing chipping ESD damage optimization
采用实验设计方法对超声楔形焊引线键合工艺进行实验设计，研究了超声功率、键合压力和键合时间对键合强度的影响，得到了拟合程度好的统计模型和优化后的超声楔形焊工艺参数。在最优的工艺条件下，键合质量得到了提高。
试验设计方法 超声楔形焊 统计模型 DOE ultrasonic wedge bond statistical model
通过对含氯氧化在线实验结果和工艺仿真结果进行对比，并进行仿真工艺校准，发现采用氯含量相同的仿真校准结果较之等物质量仿真校准结果与实际工艺实验结果相吻合。对氯含量相同氧化校准模型进行了不同温度、不同氧化方式的验证，仿真结果与在线实验结果相吻合，并利用该模型对CCD工艺制作中含氯氧化进行了仿真，仿真结果与CCD工艺制作测试数据相一致。
含氯氧化 仿真 校准 电荷耦合器件 oxidation containing chlorine simulation calibration CCD
强光照射时，CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象，严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD，详细阐述了其抗晕结构的设计和制作方法，采用该方法制作的CCD能够达到500倍的抗晕能力。
光晕 横向抗晕 横向溢出漏 抗晕势垒 blooming lateral antiblooming lateral overflow drain antiblooming barrier
对采用胶粘剂密封盖板的CCD器件密封失效现象进行了失效分析, 得到了主要的失效原因: 水气、胶黏剂的混合以及固化程序, 并通过改进措施, 使CCD器件的密封合格率得到大幅提升, 达到了98%, 表明胶封工艺达到了实用化水平。
电荷耦合器件 密封盖板 密封失效 CCD lid seal seal failure
CCD键合工艺要求硅铝丝依次在Au焊盘和Al焊盘上完成一、二焊的超声键合。文章分别以Au焊盘和Al焊盘为研究对象, 通过调整键合中的超声功率和线弧高度参数, 在超声功率为20%~50%、线弧高度为1000~1800μm范围内, 设定48组不同的实验条件进行键合, 以键合后拉力测试结果为表征量, 采用工序能力指数(Cpk)的统计方法进行归纳比较, 从中选取最优实验参数用于大面阵CCD键合工艺, 以达到优化键合参数的目的。
电荷耦合器件 键合 超声功率 线弧高度 工序能力指数 CCD wire bonding ultrasonic power loop height Cpk
1 四川大学物理科学与技术学院微电子实验室, 成都 610064
2 四川大学分析测试中心, 成都 610064
3 四川大学材料科学与技术学院, 成都 610064
采用LPCVD技术, 以CH4和H2混合气体为反应源气, 在n-Si（111）衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体, CH4作为碳源, 硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质。结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜。
立方碳化硅 拉曼散射光谱 傅里叶变换红外光谱 剩余射线带 cubic silicon carbide Raman scattering spectra fourier transform infrared reststrahlen band
1 四川大学物理科学与技术学院微电子学系, 成都 610064
2 微电子技术四川省重点实验室, 成都 610064
3 中国科学院固体物理研究所, 合肥 230031
提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度, 但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响, 本文对低温分子束外延技术（LT-MBE）生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析, 发现样品中存在大量的As反位缺陷（AsGa）、Mn的间隙位缺陷（MnI）、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷, 这些缺陷都会影响外延层的光谱特性, 同时也会影响器件的电学性能。
GaMnAs 缺陷 红外光谱 光电导 GaMnAs defect infrared spectra photoconduction
