1 四川大学物理科学与技术学院微电子实验室, 成都 610064
2 四川大学分析测试中心, 成都 610064
3 四川大学材料科学与技术学院, 成都 610064
采用LPCVD技术, 以CH4和H2混合气体为反应源气, 在n-Si（111）衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体, CH4作为碳源, 硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质。结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜。
立方碳化硅 拉曼散射光谱 傅里叶变换红外光谱 剩余射线带 cubic silicon carbide Raman scattering spectra fourier transform infrared reststrahlen band
