1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
使用感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductively coupled plasma chemical vapor deposition, ICPCVD)方法在GaN上沉积SiOx薄膜, 生长参数中采用不同RF功率, 研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现, 随着RF功率增大, 薄膜应力增大, 表面粗糙度减小, 薄膜致密度增大.选择最优的RF功率参数, 制作了SiOx/n-GaN金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor, MIS)器件, 结果得到薄膜漏电流密度在外加偏压为90V时小于1×10-7A/cm2, SiOx/n-GaN界面态密度为2.4×1010eV-1cm-2.表明利用ICPCVD低温沉积的SiOx-GaN 界面态密度低, 薄膜绝缘性能良好.
薄膜应力 表面粗糙度 界面态密度 ICP-CVD ICP-CVD SiOx films SiOx film stress surface roughness interface trap density
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料和器件重点实验室，上海200083
3 中国科学院大学，北京100039
测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中，SiNx薄膜作为扩散掩膜，分别采用等离子体化学气相沉积(PECVD)和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)生长.探测器焊接在杜瓦里测量，结果显示采用两种掩膜方式的器件的平均峰值响应率、探测率和量子效率分别为0.73和0.78A/W,6.20E11和6.32E11cmHz1/2W-1,56.0%和62.0%;两种器件的响应波段分别为1.63~1.68μm和1.62~1.69μm;平均暗电流密度分别为312.9nA/cm2和206nA/cm2.通过理论分析两种器件的暗电流成分，结果显示，相对于采用PECVD作为扩散掩膜生长方式而言，采用ICP-CVD作为扩散掩膜生长方式大大降低了器件的欧姆暗电流成分.
诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD) 扩散掩膜 暗电流 InGaAs InGaAs ICP-CVD diffusion mask dark current
