Author Affiliations
Abstract
1 Key Laboratory of In-fiber Integrated Optics, Ministry of Education, Harbin Engineering University, Harbin 150001, China
2 School of Physics and Intelligent Manufacturing, Chifeng University, Chifeng 024000, China
3 State Key Laboratory of Applied Optics, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033, China
This Letter presents a new type of optical fiber probe used to detect temperature, whose structure is very simple. The optical fiber probe is filled with cholesteric liquid crystals (CLCs) whose reflected light varies with temperature. The experimental results show that the proposed sensor can achieve a temperature sensitivity of 5.64 nm/°C in the temperature range of 18–40°C. The sensor has the advantages of simple structure, low cost, and easy mass manufacture. Its size is very tiny (the tapered structure, 125 μm in maximum diameter and <300 μm in length) and it is easy to integrate and measure. Meantime, the tapered structure of the probe is also ideal for measuring small samples such as cells and microfluidic channels, which will be a promising candidate for monitoring temperature fluctuations in small spaces.
cholesteric liquid crystal temperature sensor optical fiber Chinese Optics Letters
2020, 18(10): 101202
1 中国电子技术标准化研究院，北京100007
2 重庆光电技术研究所，重庆400060
采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件（CCD）多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响。研究结果表明，常规热氧化工艺制作的多晶硅介质层，在台阶侧壁存在薄弱区，多晶硅层间击穿电压仅20V，器件在可靠性试验后容易因多晶硅层间击穿而失效。采用LPCVD淀积二氧化硅技术消除了多晶硅台阶侧壁氧化层薄弱区，其层间击穿电压大于129V，明显改善了器件可靠性。
电荷耦合器件 多晶硅 击穿电压 可靠性 charge-coupled device polysilicon break-down voltage reliability
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院大学, 北京 100039
采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/AlGaN基紫外探测器进行钝化, 从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面, 对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比。制作了钝化膜/GaN MIS器件, 通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能, 结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好, 外加偏压为100V时, 其漏电流密度保持在1×10-7A/cm2以下, 薄膜击穿电场大于3.3MV/cm。采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器, 通过计算钝化前后器件暗电流的变化, 表征不同钝化方法的钝化效果。结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件, 其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级, 在-5V偏压下暗电流密度为7.52A/cm2。
紫外探测器 暗电流 钝化膜 GaN/AlGaN GaN/AlGaN ultraviolet detector dark current ICPCVD ICPCVD passivation film
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
使用感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductively coupled plasma chemical vapor deposition, ICPCVD)方法在GaN上沉积SiOx薄膜, 生长参数中采用不同RF功率, 研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现, 随着RF功率增大, 薄膜应力增大, 表面粗糙度减小, 薄膜致密度增大.选择最优的RF功率参数, 制作了SiOx/n-GaN金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor, MIS)器件, 结果得到薄膜漏电流密度在外加偏压为90V时小于1×10-7A/cm2, SiOx/n-GaN界面态密度为2.4×1010eV-1cm-2.表明利用ICPCVD低温沉积的SiOx-GaN 界面态密度低, 薄膜绝缘性能良好.
薄膜应力 表面粗糙度 界面态密度 ICP-CVD ICP-CVD SiOx films SiOx film stress surface roughness interface trap density
中国科技大学,电子科学与技术系,安徽,合肥,230027
通过对数字激光散斑特性的研究,提出了一种利用激光散斑图像的极值点进行二维位移测量的极值位移测量法.该方法采集发生位移前后的两幅数字激光散斑图像,分别寻找它们的极值点,利用极值点之间的相互关系以及极值点对出现概率较高的特点,测量出散斑图像的位移.改进后,该算法能够测量亚像素级的位移,且运算速度较快.
激光散斑 散斑图像 位移测量 数字图像处理
