为了实现InGaAs探测器响应波段向可见增强, 在传统的外延材料中加入一层InGaAs腐蚀阻挡层, 制备了32×32元平面型InGaAs面阵探测器, 采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法, 去除了InP衬底.结果表明, 探测器的响应波段为0.5~1.7μm, 室温下在波长为500nm处的量子效率约为16%, 850nm处量子效率约为54%, 1550nm处量子效率约为91%.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响, 为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据.

测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中，SiNx薄膜作为扩散掩膜，分别采用等离子体化学气相沉积(PECVD)和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)生长.探测器焊接在杜瓦里测量，结果显示采用两种掩膜方式的器件的平均峰值响应率、探测率和量子效率分别为0.73和0.78A/W,6.20E11和6.32E11cmHz1/2W-1,56.0%和62.0%;两种器件的响应波段分别为1.63~1.68μm和1.62~1.69μm;平均暗电流密度分别为312.9nA/cm2和206nA/cm2.通过理论分析两种器件的暗电流成分，结果显示，相对于采用PECVD作为扩散掩膜生长方式而言，采用ICP-CVD作为扩散掩膜生长方式大大降低了器件的欧姆暗电流成分.

为了适应未来红外焦平面探测器系统小型化、集成化和高精度的发展要求，采用了热蒸发方法分别在InP衬底和InGaAs探测器上实现了中心波长为1.38 μm滤光膜的片上集成。利用偏光显微镜、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)以及红外傅里叶光谱(FTIR)等实验手段研究了滤光膜的表面界面形貌和光学性能，结果显示，滤光膜为法布里珀罗三谐振腔结构，与膜系设计一致；滤光膜中心波长为1.38 μm，透射率在60%左右。对集成滤光膜InGaAs器件的电学和光学性能测试分析表明，滤光膜制备工艺对器件的电流电压特性和噪声基本没有影响；而集成滤光膜器件的响应要优于滤光膜分离器件的性能。