1 中国科学院 上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海200083
2 上海科学技术大学 信息科学与技术学院，上海 201210
为了满足可见-近红外波段的高光谱分辨率和高灵敏观测需求，采用大面阵、低噪声碲镉汞焦平面制备技术和低损伤衬底去除技术，成功制备了高信噪比大面阵可见/近红外碲镉汞焦平面探测器。无损衬底去除技术采用机械抛光和化学腐蚀相结合的方法，使焦平面的响应波段拓展至400 nm~2 600 nm。采用信号定量化焦平面测试评价手段对可见/近红外碲镉汞焦平面的性能进行评估，640×512 25 μm中心距碲镉汞焦平面的波段量子效率可达到88.4%，信噪比达到287，有效像元率大于98%，能够获得清晰的可见和近红外波段图像。
超光谱探测 可见/近红外成像 碲镉汞 衬底去除 量子效率 ultra-spectrum detection Vis/NIR spectral imaging HgCdTe substrate removal quantum efficiency
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
3 中国科学院大学, 北京 100039
为了实现InGaAs探测器响应波段向可见增强, 在传统的外延材料中加入一层InGaAs腐蚀阻挡层, 制备了32×32元平面型InGaAs面阵探测器, 采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法, 去除了InP衬底.结果表明, 探测器的响应波段为0.5~1.7μm, 室温下在波长为500nm处的量子效率约为16%, 850nm处量子效率约为54%, 1550nm处量子效率约为91%.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响, 为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据.
铟镓砷探测器 可见增强 衬底减薄 量子效率 InGaAs detectors visible response substrate removal quantum efficiency
光电技术与系统教育部重点实验室, 重庆大学 光电工程学院, 重庆 400030
提高LED芯片的出光效率是解决LED光源大功率化和可靠性的根本。根据LED芯片所用衬底材料的不同, 总结了近年来提高GaN基LED出光效率的研究进展, 介绍了新的设计思路、工艺结构与制备方法。并从材料结构和衬底选取方面, 对LED芯片未来的发展趋势进行了展望。
发光学 出光效率 衬底图案化 衬底转移 垂直结构 luminescence LED LEDs light extraction efficiency patterned substrate substrate removal vertical structure
