1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
3 中国科学院大学, 北京 100039
为了实现InGaAs探测器响应波段向可见增强, 在传统的外延材料中加入一层InGaAs腐蚀阻挡层, 制备了32×32元平面型InGaAs面阵探测器, 采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法, 去除了InP衬底.结果表明, 探测器的响应波段为0.5~1.7μm, 室温下在波长为500nm处的量子效率约为16%, 850nm处量子效率约为54%, 1550nm处量子效率约为91%.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响, 为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据.
铟镓砷探测器 可见增强 衬底减薄 量子效率 InGaAs detectors visible response substrate removal quantum efficiency
中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京,210016
简要介绍了背照电荷耦合器件的工作原理、潜在优势和应用领域.设计了对常规电荷耦合器件芯片进行衬底减薄进而实现背照电荷耦合器件的技术方案.给出了相关的设计方法和工艺流程并对关键工艺技术进行了探讨.对所制成的背照电荷耦合器件组件的性能进行了分析和讨论.结果表明所提出并采用的技术方案是可行的.
电荷耦合器件 背照 成像 衬底减薄 CCD back-illuminated imaging substrate thinning
