1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
3 中国科学院大学, 北京 100039
为了实现InGaAs探测器响应波段向可见增强, 在传统的外延材料中加入一层InGaAs腐蚀阻挡层, 制备了32×32元平面型InGaAs面阵探测器, 采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法, 去除了InP衬底.结果表明, 探测器的响应波段为0.5~1.7μm, 室温下在波长为500nm处的量子效率约为16%, 850nm处量子效率约为54%, 1550nm处量子效率约为91%.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响, 为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据.
铟镓砷探测器 可见增强 衬底减薄 量子效率 InGaAs detectors visible response substrate removal quantum efficiency
