1 中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800
2 中国科学院大学 北京 100049
熔盐换热器因其系统压力低、运行稳定以及经济性能好等特点在太阳能、核能和高温制氢等领域得到广泛应用。由于熔盐运行温度高,冷热流体温差大,导致熔盐换热器主要部件中产生的热应力不可忽略。本文采用流热固耦合方法分析U型管式换热器的温度场与应力场,首先运用计算流体力学(Computational Fluid Dynamics,CFD)分析获取了换热器主要热性能参数,并与实验结果进行对比,最大偏差约3.07%,验证了CFD流体仿真结果的准确性。在此基础上,对熔盐管壳式换热器运行工况下的传热过程进行了详细分析,获得换热器流场和温度场。最后,通过Ansys workbench有限元软件计算得到由流场、压力场和温度场耦合产生的应力场,并着重分析了与换热管及壳体相连接的管板的应力分布,给出了管板最高应力值及某些路径的应力变化规律。结果表明:应力较大的部位发生在管板的布管区与非布管的连接区域,位于近壳侧的换热管内壁处,距离管板下端面约2 mm的位置。可为熔盐换热器实际运行和结构设计提供重要参考。
熔盐 流热固耦合方法 应力场分析 U型管式换热器 Molten salt Fluid-thermal-solid coupling method Stress analysis U-tube heat exchanger
华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室, 湖北 武汉 430074
基于激光选区熔化(SLM)工艺制备了一种具有高致密度、高强度和高硬度的Cu-13.5Al-4Ni-0.5Ti形状记忆合金试样。对试样的微观组织进行分析表征,并研究了其在室温和300 ℃下的拉伸性能。结果表明:当激光能量密度约为110 J·mm
-3时,试样的相对密度最大,超过99.5%;试样微观组织中平行延伸的板条状马氏体横跨熔化道生长,晶粒平均尺寸约为43 μm,与铸造试样相比,晶粒得到明显细化;试样在常温下的抗拉强度为(541±26) MPa,断后伸长率为(7.63±0.39)%;在300 ℃下的抗拉强度提高至(611±9) MPa,断后伸长率提高至(10.78±1.87)%,该合金在高温领域具有一定的应用潜力。
材料 铜基形状记忆合金 激光选区熔化 工艺优化 显微组织 力学性能
1 重庆大学光电工程学院光电技术与系统教育部重点实验室, 重庆 400044
2 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
为了提高GaN阴极的紫外探测效率,提出了一种由体内到表面、掺杂浓度由高到低的变掺杂GaN阴极材料结构,采用超高真空(Cs,O)激活工艺进行了阴极制备,对均匀掺杂和变掺杂GaN光电阴极的光谱响应特性进行了测试与比较。与传统具有均匀掺杂结构的GaN阴极相比,这种变掺杂结构的阴极在反射工作模式下具有更高的量子效率(量子效率平均提高了30%)和更好的长波紫外响应特性(长波响应提高了43%)。通过比较变掺杂与均匀掺杂阴极在能带结构、光电子体内输运效率、光电子表面发射效率等特性上的差异,对变掺杂GaN光电阴极获得更高量子效率的机理进行了分析。
测量 紫外探测 GaN光电阴极 变掺杂结构 量子效率 光电子输运 光学学报
2012, 32(s1): s104001
重庆大学光电工程学院, 光电技术与系统教育部重点实验室, 重庆400044
GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件, 其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式, 其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。 测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱, 通过建立透射式GaN阴极样品的透射模型, 得到了GaN阴极样品的薄膜厚度、 光学吸收系数与透射谱之间的函数关系。 计算得到的GaN外延材料的厚度与实际值误差小, 吸收系数与已发表数据一致, 表明紫外透射光谱法能够准确地实现透射式GaN阴极材料结构及光学特性的评估。
紫外透射光谱 透射式GaN光电阴极 薄膜厚度 光学吸收系数 Ultraviolet transmission spectral Transmission-mode GaN photocathode Thin film thickness Optical adsorption coefficient 光谱学与光谱分析
2011, 31(6): 1606
光电技术与系统教育部重点实验室, 重庆大学 光电工程学院, 重庆 400030
提高LED芯片的出光效率是解决LED光源大功率化和可靠性的根本。根据LED芯片所用衬底材料的不同, 总结了近年来提高GaN基LED出光效率的研究进展, 介绍了新的设计思路、工艺结构与制备方法。并从材料结构和衬底选取方面, 对LED芯片未来的发展趋势进行了展望。
发光学 出光效率 衬底图案化 衬底转移 垂直结构 luminescence LED LEDs light extraction efficiency patterned substrate substrate removal vertical structure
1 重庆大学 光电工程学院, 重庆400044
2 重庆大学 光电技术与系统教育部重点实验室, 重庆400044
采用蒙特卡罗光线追踪方法, 模拟GaN基倒装LED芯片的光提取效率, 比较了蓝宝石衬底剥离前后、蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下LED光提取效率的变化, 并对粗化微元结构和尺寸作了进一步选取与优化。研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底和引入AlN缓冲层均有利于LED光提取效率的提高; 蓝宝石衬底双面粗化对提高光提取效率的效果要明显好于单面粗化; 表面粗化的结构和尺寸对光提取效率有较大影响, 当微元特征尺寸与微元间距相当时, 光提取效率较高。
GaN基倒装LED 光提取效率 光线追踪 双面粗化 AlN缓冲层 GaN-based flip-chip LEDs light extraction efficiency light ray trace double-surface roughening AlN buffer layer
光电技术及系统教育部重点实验室 重庆大学光电工程学院, 重庆 400044
针对钢管在空间方向直线度的测量, 采用机器视觉方法, 通过获取钢管上下边缘图像, 求得钢管中心轴线坐标, 评定直线度误差。在整体设计过程中, 照明系统采用背光照明方式和平行光管光源, 采用双高斯结构设计了光学成像系统基本结构, 并用Zemax对成像系统进行了优化设计和像质分析。根据钢管边缘图像的特征, 采用了一种新方法--相邻行灰度差异判定法对钢管边缘进行检测。设计结果表明, 背光平行照明有利于获得高对比度的钢管边缘, 优化后的成像系统畸变小于0.08%, 场曲小于0.05 mm ,相邻行灰度差异判定法较传统边缘检测方法效果好、速度快, 整个测量系统能够实现钢管直线度的高精度、非接触实时测量。
机器视觉 钢管直线度 照明系统 光学成像系统 边缘检测 machine vision straightness of steel pipe illumination system optical imaging system edge detection
1 重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044
2 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
利用超高真空制备技术,对以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品进行了光电阴极制备,并利用紫外光谱响应测试仪,对所制备的基于负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极在反射式和透射式两种工作模式下的量子效率特性进行了测试与对比分析。实验结果显示,在反射模式下,样品在240 nm处具有高达50%的量子效率,而在透射模式下量子效率最高只有15%,量子效率曲线拟合表明该样品的后界面复合速率为104 cm/s。通过分析发现,造成两种工作模式下量子效率相差较大的主要影响因素是后界面复合速率和GaN外延材料厚度。
光电子学 GaN光电阴极 量子效率 反射式 透射式 光学学报
2010, 30(s1): s100511
1 重庆大学光电工程学院光电技术与系统教育部重点实验室, 重庆 400044
2 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
设计了一种以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品作为透射式阴极材料,并利用超高真空表面净化工艺与(Cs,O)激活工艺对其进行了光电阴极制备。紫外光谱响应测试结果表明,所制备的GaN紫外光电阴极在透射式工作模式下具有明显的“门”字响应,最高量子效率15%,与反射式光谱响应曲线相比,透射式阴极的总体响应幅度较低,长波响应阈值向短波推移。最后从阴极材料结构、外延水平及阴极制备工艺方面分析了所得的实验结果。
紫外探测器 GaN紫外光电阴极 表面净化 O)激活工艺 光谱响应测试 光学学报
2010, 30(s1): s100103