采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺在p-GaAs（100）衬底上外延了Ga₂O₃薄膜并制备了n-Ga₂O₃/p-GaAs异质结日盲紫外探测器。通过X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜等方法对Ga₂O₃薄膜表面形貌、晶体质量进行了测试与分析。结果表明，Ga₂O₃薄膜呈单一晶向，薄膜表面平整且为Volmer-Weber模式外延。测试表明，n-Ga₂O₃/p-GaAs异质结探测器具有明显的整流特性。器件在5 V反向偏压和紫外光（254 nm）照射下实现了超过3.0×10⁴的光暗电流比、7.0 A/W的响应度、3412%的外量子效率、4.6×10¹³ Jones的探测率。我们利用TCAD软件对器件结构进行仿真，得到了器件内的电场分布和能带结构，并分析了器件的工作原理。该异质结探测器性能较好，制造工艺简单，为Ga₂O₃超灵敏日盲紫外探测器的研制提供了新途径。

为了实现在无外部供能下对紫外光的有效探测，基于Ag修饰的Bi₂O₃纳米块（Ag/Bi₂O₃）纳米块制备了自供能紫外探测器。通过煅烧法制备Bi₂O₃纳米块，随后采用室温溶液法在其表面沉积Ag纳米粒子，进而成功制备了Ag/Bi₂O₃纳米块，且对所制备样品的晶体结构和微观形貌等进行了表征。结果表明，Ag/Bi₂O₃纳米块的平均尺寸约为1 μm，且Ag纳米粒子随机分布在Bi₂O₃纳米块表面。将涂覆Ag/Bi₂O₃纳米块的FTO作为工作电极，并进一步构建了自供能紫外探测器。在365 nm的紫外光照射下，Ag/Bi₂O₃纳米块紫外探测器能在零偏压下实现对紫外光的快速检测，这证实其具有自供能特性。相比于Bi₂O₃纳米块紫外探测器，Ag/Bi₂O₃纳米块紫外探测器的光电流得到明显提升，上升和下降时间分别缩短至29.1 ms和40.2 ms，并具有良好的循环稳定性。

日盲紫外探测器在**和民用领域均具有广阔的应用前景。基于宽禁带半导体材料的日盲紫外探测器具有无需昂贵的滤光片、工作电压低、全固态、体积小、重量轻、抗干扰能力强、工作温度范围广等特点，是公认的新一代紫外探测器。在众多的宽禁带半导体材料中，以Ga₂O₃作为典型代表的镓基氧化物材料因其优异的电学和光电特性已经成为近年来微电子学和光电子学领域的研究热点，特别是其本征日盲、耐高温、耐高压、化学稳定性好等优异特点使得该类材料在日盲紫外光电探测领域展现出巨大的发展潜力。鉴于此，本文综述了不同晶体结构的Ga₂O₃、镓酸盐氧化物、镓锡氧化物、镓铝氧化物等镓基氧化物薄膜及其日盲紫外探测器研究进展。

为了实现在无外加电源情况下对紫外光的长时间探测，基于WO₃纳米片制备了具有自供能特性的紫外探测器。采用水热法在FTO玻璃衬底上成功制备了WO₃纳米片阵列，并通过SEM、XRD等手段对样品进行分析，研究结果显示，长度约为2 μm、厚度约为200 nm的单斜相WO₃纳米片均匀致密地生长并覆盖在整个衬底表面。制备的WO₃纳米片的光吸收范围集中在紫外波段，对330~440 nm的光具有强的吸收能力。以WO₃纳米片为工作电极制备了紫外探测器，测试结果表明，WO₃纳米片紫外探测器能够在无外加偏压的情况下有效探测紫外光，且具有自供能特性。探测器的光电性能表现出高光响应电流（约为171 μA）和快速响应特性（上升时间约为25.7 ms，下降时间约为38.7 ms），并在多次紫外光开/关下保持良好的稳定性与重复性。

采用金属有机化学气相沉积技术在c面蓝宝石衬底上生长氧化镓薄膜，再通过光刻、剥离、电子束蒸镀技术在氧化镓薄膜的表面制作非对称叉指电极，其中Pt/Au作为肖特基电极，Ti/Al/Ni/Au作为欧姆电极；为实现良好的欧姆接触，提升界面载流子的注入效率，对沉积Ti/Al/Ni/Au后的样品进行退火处理。相关结果表明，该Pt/β?Ga₂O₃肖特基光电二极管具有良好的深紫外探测水平。在-5 V偏压下，响应度和外量子效率分别为3.4 A/W和1.66×10³%。探测器的探测度高达10¹³ Jones，表明其具有优异的弱信号探测能力。同时，响应度和外量子效率整体都随着光强增大而减小，这是由于较高的光生载流子浓度提高了电子?空穴对的复合机率。在自驱动模式下，该Pt/β?Ga₂O₃肖特基光电二极管展现出较快的响应速度，响应度为2.69 mA/W。此外，探测器在-100 V和+100 V的高压下仍然能够稳定运行，说明该探测器具有较好的耐高压稳定性。