现代光电信息产业的快速发展对半导体光电器件提出了越来越高的要求，从而推动了半导体低维复合量子结构材料的研究和发展。其中，富铟团簇自组装复合量子结构材料因展现出灵活的结构调控性和优异的光学性能，获得了广泛的关注，成为实现新一代高性能半导体发光器件的重要结构材料。介绍了当前三种典型的低维铟基阱－点复合量子结构材料及其光学性能，重点分析了基于InGaAs材料的富铟团簇自组装阱－点复合量子结构材料的特殊生长机制以及新发现的优异光学性能，详细阐述了这种新的结构在实现新一代光谱功率均匀一致的超宽调谐半导体激光器、偏振双波长激光器以及偏振独立半导体光放大器等方面的应用成果和发展前景。
激光器 半导体激光器 InGaAs材料 低维复合量子结构 富铟团簇效应 光学增益 中国激光
2022, 49(19): 1901002
1 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
2 微光夜视技术重点实验室, 陕西 西安 710065
3 上海航天技术研究院808所, 上海 201109
为了获得清洁度更高的InGaAs材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线光电子能谱技术,对不同方法清洗后的InGaAs样品表面进行分析,基于样品表面产生的二次电子图像,对表面进行了微区特征分析,精准检测了表面化学成分和表面被腐蚀程度。分析发现,基于氢氟酸溶液的刻蚀会严重腐蚀样品表面,破坏表面结构和成分,而结合了紫外臭氧清洗的基于盐酸和异丙醇混合溶液的刻蚀对样品表面具有更好的清洁效果,能够更好地去除表面的碳污染物和氧化物。
材料 InGaAs材料 扫描聚焦X射线 表面污染 化学清洗
