中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
基于0.6 μm高低压兼容CMOS工艺,设计并实现了一种四通道高压抗辐射电压输出型数模转换器(DAC)。采用R-2R梯形网络和高压折叠共源共栅运放作为缓冲输出,保证了DAC良好的单调性,提高了抗辐射能力。该DAC芯片尺寸为5.80 mm×3.70 mm。测试结果表明,在正负电源电压分别为±5 V时,DAC的输出范围达到-2.5~2.5 V,功耗为26.95 mW,DNL为0.41 LSB,INL为0.34 LSB,输出建立时间为6.5 μs,INL匹配度为0.11 LSB。
高压DAC MOS管阈值 NMOS管环栅 总剂量辐射 high voltage DAC MOS transistor threshold voltage NMOS transistor ring-gate TID
吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区, 吉林 长春130012
硅基OLED微显示中为了在极小的像素面积内实现微小的OLED工作电流, 其像素驱动电路的驱动MOS管一般工作在亚阈值区, 存在OLED电流对驱动MOS管的阈值电压和栅源电压失配敏感、外围电路复杂等问题, 如果驱动MOS管工作在饱和区则可避免这些问题, 但为了获得微小的驱动电流, 必须采用尺寸大的倒比MOS管, 这又与极小的像素面积冲突。本文提出了一种采用脉宽调制(PWM)技术、驱动MOS管工作在饱和区的OLED微显示像素驱动电路, PWM信号减少了一帧内OLED的实际工作时间, OLED的脉冲电流变大, 使驱动MOS倒比管的尺寸减小; 由于PWM信号占空比小, 同时实现了OLED微小的平均像素驱动电流和亮度。结果表明PWM信号占空比为3%时, 实现的OLED驱动电流和像素亮度范围分别为27 pA~2.635 nA、2.19~225.1 cd/m2, 同时采用双像素版图共用技术, 在15 μm×15 μm的像素面积内实现了像素驱动电路的版图设计。
硅基OLED微显示 像素驱动电路 脉宽调制(PWM) 驱动MOS管 饱和区 OLED-On-Silicon microdisplay pixel driving circuit pulse width modulation (PWM) driving MOS transistor saturation region
1 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所, 新疆 乌鲁木齐830011
2 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 新疆 乌鲁木齐830011
3 中国科学院大学, 北京100049
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验, 对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明, 对于同一辐照总剂量, 三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad, 辐照温度分别为25, 70, 100 ℃时, NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71, 89和113, 而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53, 2.8, 2.82 V。
总剂量辐射效应 MOS晶体管 三极管 不同温度辐照 total dose effect MOS transistor triode different temperature irradiation
1 深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳
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讨论了高重复频率扫描电路的研制,利用此扫描电路研制了扫描相机,使用掺钛兰宝石激光器进行了时间分辨率的标定,使用半导体激光器作为光源进行了脉冲宽度的测试.最高工作频率为:1 MHz,时间分辨率为:1.8 ps.
高重复频率 扫描相机 MOS晶体管扫描电路 The high repetition rate sweep circuit Streak camera MOS transistor sweep circuit
