江苏大学计算机科学与通信工程学院, 江苏 镇江 212013
为了构建光学三极管模型,设计了一个基于半导体磁性材料InSb的PT(parity-time)对称耦合微腔的结构模型。通过结构参数优化,产生了PT对称结构磁场强耦合的极点效应。在极点频率附近,通过改变输入电流信号改变施加在磁性材料上的磁感应强度,实现极点状态下信号的放大输出。这种放大可以是同相,也可以是反相,该设计实现了特殊光学三极管模型。
光学器件 激光光学 parity-time对称耦合微腔 光学三极管 同相放大 反相放大
1 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所, 新疆 乌鲁木齐830011
2 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 新疆 乌鲁木齐830011
3 中国科学院大学, 北京100049
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验, 对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明, 对于同一辐照总剂量, 三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad, 辐照温度分别为25, 70, 100 ℃时, NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71, 89和113, 而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53, 2.8, 2.82 V。
总剂量辐射效应 MOS晶体管 三极管 不同温度辐照 total dose effect MOS transistor triode different temperature irradiation
应用云母板作为栅极基底，结合常规的丝网印刷工艺，制作了改进的栅极结构。采用钙钠平板玻璃作为封装面板，利用碳纳米管作为冷阴极材料，研制了三极结构的单色场致发射显示器件。栅极基底的优良绝缘性能确保了其不易被强电场强度所击穿；改进的栅极层则能够进一步缩短栅极-阴极之间的有效距离，有利于降低栅极的工作电压。该显示器件具有高的显示亮度，良好的栅控能力以及场致发射特性。
场发射显示器 三极结构 丝网印刷 FED triode structure screen-printing
福州大学物理与信息工程学院, 福建 福州 350002
在Spindt结构仿真方法的基础上，将四针状纳米ZnO近似处理成尖锥结构，采用C语言程序编程，求解电位、电场分布、电子运动轨迹及发射电流密度。通过计算机模拟仿真，分析了栅极孔径、栅极电压以及阳极电压等对显示器性能的影响。在理论优化设计指导下，采用丝网印刷制作带孔的介质层，用电泳方法在阴极电极上沉积ZnO发射体，制成孔状金属栅三极结构显示屏。测试了显示器的电子发射调制性能，实验表明采用计算机仿真设计的三极结构ZnO场致发射显示器具有良好的场致发射性能。
场致发射显示器 计算机仿真 三极结构 激光与光电子学进展
2010, 47(1): 012301
1 焦作大学 机电学院,河南 焦作454100
2 中原工学院 电子信息学院,河南 郑州450007
三极结构的场致发射显示器是一种新型的真空平板显示装置,高真空的实现与维持是确保显示器件正常工作的必要条件。通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺和玻璃定位片装置,实现了场致发射显示器的高真空平板封装。从器件封装结构、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了工艺改进。综合采用这套技术,已经研发出三极结构的、具有高真空度的碳纳米管阴极场致发射显示器样品。
显示器件 场致发射 封装 三极 真空 display device field emission packaging triode vacuum
福州大学物理与信息工程学院, 福建, 福州 350002
针对二极式场致发射显示器(field emission display, FED)驱动电压过高的问题, 设计制作了前栅极式三极结构纳米ZnO场致发射显示器, 并进行了场致发射实验, 验证这种结构的可行性。前栅极结构采用喷砂工艺结合光刻技术, 制作出微细的栅孔结构, 实现了较低电压的控制。同时对影响场致发射性能的栅极电压、栅孔开口尺寸和介质层厚度进行了分析讨论。实验结果表明：采用三极结构四针状纳米ZnO场致发射显示器具有良好的发射性能, 是一种有前途的场致发射显示器。
光电子学 场致发射 四针状氧化锌 三极结构 发射性能
叙述了高功率微波的远场测量方法,并加以改进.采用改进后的方法对本实验室反射三极管装置所激励的高功率微波进行了测量,测得了辐射方向图,得到了辐射功率,分析了辐射模式.测量结果表明:微波辐射功率超过300MW,辐射频率为2.8GHz,微波脉宽约150ns,辐射模式包含TE11等模式.
远场测量 高功率微波 反射三极管 Far-field measurement High power microwaves Reflex triode
