实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐增大。X射线衍射分析表明薄膜呈立方多晶结构,晶粒尺寸为14.1～17.9 nm;应力先随溅射功率的增大而增大,在40 W时达到最大值(2.383 GPa),后随溅射功率的增大有所减小。

使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜，采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明：当基片温度为150 ℃时，薄膜获得(211)晶面择优取向生长，而在低于250 ℃的其它温度条件下，样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示：薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显，其值大约为0.35 nm，随溅射功率密度的增大而变大；电学性能方面：随着溅射功率密度的升高，薄膜导电性能迅速增强，电阻率呈现近似指数函数衰减；随着基底温度的升高，薄膜的电阻率先减小后增大，当基底温度为150 ℃时，薄膜电阻率降低至最小值2.02×10-5 Ω·cm.

运用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)基片上沉积了金属Mo薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度5.2 J/cm2,本底真空10-6 Pa的条件下,研究Mo薄膜的结构和表面形貌,讨论了衬底温度对薄膜形貌与结构的影响。原子力显微镜(AFM)图像和X射线小角衍射(XRD)分析表明,薄膜表面平整、光滑,均方根粗糙度小于2 nm。沉积温度对Mo薄膜结构和表面形貌影响较大,在373-573 K范围内随着温度升高,薄膜粗糙度变小,结晶程度变好。

在不锈钢基体上采用离子束混合技术及电子束处理方法进行Mo薄膜沉积,沉积后的试样再进行氢离子注入.分别对氢离子注入前后的样品进行500～4000波数范围内IR分析,研究了氢离子辐照前后涂层的红外光谱振动吸收峰的变化,对Mo涂层的抗氢机理进行了探讨.