超短激光脉冲作为产生阿秒激光与探索物质微观世界的重要工具，其时间特性的精确测量尤为重要。介绍了几种少周期激光脉冲的产生以及常用的表征技术，并将表征技术在广义上分为频域测量与时域测量两大类。在频域测量中，通过测量非线性过程产生的光谱信息来反演重构超短激光脉冲的包络及相位；在时域测量中，利用“超快门开关”直接对脉冲的光场信息进行采样，从而获取时间特性。两类技术在应用场景上各有侧重，频域测量因其装置简便快捷而被广泛应用在快速表征的实验场景中，而时域采样则因为可以直接获得光电场信息，常用于与光电场直接相关的超快物理实验。

飞秒磁场脉冲对研究超快磁化、超快退磁、超快磁存储和自旋超快动力学等过程具有重要意义。传统的脉冲磁场受限于脉冲电源性能无法获得毫秒量级以下的超短脉冲磁场，无法研究飞秒尺度的磁动力学过程。利用超短脉冲激光驱动等离子体产生旋转电流是目前产生飞秒磁场脉冲的有效方法。本文利用质点网格法模拟圆偏振拉盖尔高斯光束驱动等离子体中的电子运动从而产生光电流以及飞秒磁脉冲的过程，模拟产生了特斯拉量级的飞秒超短磁脉冲，并系统讨论了驱动激光强度与等离子体密度对磁脉冲的影响。结果表明，脉冲磁场的脉宽与驱动光一致，其强度随着激光场强度、等离子体密度增加而增加。通过本文研究寻找产生飞秒磁脉冲的优化实验参数，有望将超快磁动力学研究推进到飞秒时间尺度。

We propose a method for reconstructing non-diffuse surfaces based on the π-phase-shifted two-plus-one phase-shifting method. First, we introduce a 2f_H + a + 2f_M + 2f_L method for unwrapped phase extraction. Subsequently, we introduce a new set of π-phase-shifted 2f_H + a/2 + 2f_M + 2f_L fringe patterns with halved background intensity. The saturated pixels will be replaced with the unsaturated pixels in the π-phase-shifted fringe patterns. Finally, we analyze eight fringe replacement cases and give the corresponding phase calculation, and further give the general formulas. Experiments confirm that the sum of the phase error of the proposed method is 81.4% lower than that of the traditional method, and 61.5% lower than that of the adaptive fringe projection method.

常见的有机发光分子主要有聚集导致猝灭（ACQ）分子和聚集诱导发光（AIE）分子。前者仅在单分子态（如稀溶液）高效发光，而后者仅在聚集态（如固态）高效发光。本工作中，我们合成了一种在稀溶液和聚集态均能高效发光的液晶分子（MS?12），并表征了其液晶性质和光物理性质。MS?12的两端为树枝单元，中间为长棒状的刚性核，可看作典型的Phasmid型液晶基元；刚性核由氰基二苯乙烯（AIE单元）和苯炔苯（ACQ单元）单元构成；由于氰基的强吸电子效应，MS?12具有D?A?π?A?D的结构特征。MS?12在固态形成六方柱状液晶相，单分子层厚度（～0.44 nm）的单胞内含有～4个分子；其在稀溶液态高效发光，在四氢呋喃中荧光量子产率（QY）～78.1%，在固态表现出AIE分子的性质，在本体液晶态的QY～59.6%。本研究为多态发光分子的设计，尤其是多态发光液晶分子的设计提供了有效的方案。

基于最新研制的小阳极结反向并联肖特基二极管芯片，设计和制造了320~360 GHz固定调谐分谐波混频器。混频器的结构采用的是传统电场（E）面腔体剖分式结构：将二极管芯片倒装焊粘在石英基片上，再用导电银胶将石英电路悬置粘结在混频器下半个腔体上。电路设计采用场路相结合的方法：用场仿真软件建立混频电路各个功能单元的S参数模型，将它们代入非线性电路仿真软件中与二极管结相结合进行混频器性能整体仿真优化。最终测试结果表明，谐波混频器的双边带在4~6 mW的本振功率驱动下，在320~360 GHz超过12%带宽范围内，双边带变频损耗均小于9 dB；混频器在310~340 GHz频带范围内，双边带噪声温度最低为780 K。声温度最低为780 K。