基于最新研制的小阳极结反向并联肖特基二极管芯片，设计和制造了320~360 GHz固定调谐分谐波混频器。混频器的结构采用的是传统电场（E）面腔体剖分式结构：将二极管芯片倒装焊粘在石英基片上，再用导电银胶将石英电路悬置粘结在混频器下半个腔体上。电路设计采用场路相结合的方法：用场仿真软件建立混频电路各个功能单元的S参数模型，将它们代入非线性电路仿真软件中与二极管结相结合进行混频器性能整体仿真优化。最终测试结果表明，谐波混频器的双边带在4~6 mW的本振功率驱动下，在320~360 GHz超过12%带宽范围内，双边带变频损耗均小于9 dB；混频器在310~340 GHz频带范围内，双边带噪声温度最低为780 K。声温度最低为780 K。

针对气象监测辐射计的应用，文章提出了基于肖特基平面二极管混合集成的W波段89 GHz二次谐波混频器。以毫米波混频技术基本理论为基础，根据对二极管的三维仿真精确建模赋予其材料特性，并结合场路联合仿真研制了结构精巧的W波段的89 GHz二次谐波混频器。仿真与测试结果表明，本振信号频率固定在45 GHz，射频信号频率在84~94 GHz时，变频损耗优于14 dB，最低为9 dB，其实测结果与仿真趋势相对吻合，有良好的工程应用前景，同时有效证明了建模方法的正确性。

在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上，提出中频传输波导的垂直转换结构，实现了四通道混频器集成模块方案，缩短了混频器单通道的横向尺寸，为太赫兹接收机系统多通道线阵列集成提供了可行性方案。为优化系统模型的准确性，基于TCAD对肖特基势垒二极管进行三维半导体器件建模计算，依据提取的关键特性参数进行混频器的高频电磁波仿真。通过对该设计方案进行测试，结果表明：当本振频率为110 GHz，功率为7 dBm，射频输入200~240 GHz，混频器的单边带变频损耗为8.6~13 dB，在204~238 GHz的单边带变频损耗为8.6~11.3 dB。当本振频率为108 GHz时，驱动功率仅需3 dBm。此外，基于该混频器模块构建的220 GHz接收机系统，积分时间为700 μs时其温度灵敏度为1.3 K。

报道了用于冰云探测的基于0.5 μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数，提升太赫兹频段电路性能，设计并分析了了T形阳极GaAs SBD器件结构，开发了厚度仅5 μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块，经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到 9.9 dB。

设计了一款基于微带结构的宽带毫米波分谐波混频器。混频器中引入了短路结构的宽带射频滤波器以及一个高性能本振-中频双工器，这些无源电路能够抑制空闲组合频率，同时为中频、射频以及本振信号提供合适的回路。测试结果表明，本文设计的毫米波分谐波混频器射频工作频率为27~48 GHz，中频工作频率宽至6 GHz. 在整个工作频段内上、下变频损耗均小于12.5 dB。当射频为33 GHz，中频为1 GHz时，上变频、下变频达到最小变频损耗分别为8.2 dB和7.5 dB。