1 北京交通大学 理学院 物理系, 北京100044
2 北京交通大学 理学院 光电子技术研究所, 北京100044
通过简单旋涂方法, 制备了一种基于硫化铅(PbS)纳米晶与聚乙烯基咔唑(PVK)的有机/无机复合薄膜电双稳器件, 并对所制备的器件进行性能测试及其电荷传输机制研究。首先采用热注入的方法制备了尺寸均一的立方形PbS纳米晶, 然后将PbS纳米晶与PVK聚合物混合作为活性层材料, 制备了有机/无机复合薄膜电双稳器件。该器件展示了良好的电双稳特性并且可以实现稳定的“读-写-读-擦”操作。器件的最大电流开关比能够达到104。并进一步对器件在正向电压下的I-V曲线进行了理论拟合, 发现在不同电流传导状态下, 器件符合不同的电传导模型。进而分析了该电双稳器件中的电荷传输机制, 认为在电场的作用下, 发生在纳米晶与聚合物之间的电场诱导电荷转移是产生电双稳特性的主要原因。
有机无机复合薄膜 电双稳器件 开关比 PbS纳米晶 organic-inorganic nanocomposite films electrical bistable devices ON/OFF current ratio PbS nanocrystals
天津理工大学 材料物理研究所, 光电器件与显示材料教育部重点实验室, 天津 300384
采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al 夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件, 与没有PbS纳米晶修饰层的器件ITO/PVP/ZnO NCs/PVP/Al相比, PbS纳米晶的引入使目标器件的开关比提高了2个数量级。结合器件的I-V曲线和能级结构分析了PbS 纳米晶修饰层对器件阻变和载流子传输的影响。结果显示, PbS纳米晶层的加入不仅优化了器件能级结构, 有利于载流子的俘获和释放, 还修饰了ZnO纳米晶的表面缺陷, 降低了器件载流子的复合损耗。
电双稳器件 ZnO纳米晶 阻变机制 PbS纳米晶修饰层 electrical bistable ZnO nanocrystal resistance switching mechanism PbS nanocrystal modification layer
1 天津大学化工学院化学工程国家重点实验室, 天津 300072
2 南开大学泰达应用物理学院教育部弱光非线性光子学重点实验室, 天津 300457
3 天津工业大学电子信息与工程学院, 天津 300387
4 天津大学精密仪器与电子工程学院光电子信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300072
为了研究纳米晶在溶液中的生长规律，设计并实现了一个能够实时监测纳米晶生长的原位透射光谱系统。利用该系统对PbS纳米线和纳米点在水相中生长过程进行了原位光谱检测，发现十二烷基硫酸钠对PbS 纳米晶的定向生长起了非常重要的作用。
光谱学 原位光谱检测 PbS 纳米晶 光电性质
