利用简易的“一锅法”制备了正丁硫醇修饰的MoS2纳米片(MoS2-C4), 并对其结构、组分、形貌及电双稳性能进行了研究。正丁硫醇在反应过程中既作为硫源, 又作为表面活性剂。X射线衍射(XRD)测试表明制备的样品为六方晶系的MoS2。从透射电镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)可以看出样品的形貌为片状, 较大的纳米片是由较小的纳米片自组装而成。测试了样品的吸收光谱, 由吸收峰的位置证明了合成的样品为2H-MoS2纳米片。利用旋涂法将所制备的纳米片与聚乙烯基咔唑(PVK)的混合物制备了电双稳器件, 通过电流-电压(I-V)测试证明了该器件具有很好的电双稳性能。

采用旋涂工艺将PbSe三维自组装超晶格镶嵌在两层聚合物PVP中，制备了基于PVP和PbSe三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件，器件结构为ITO/PVP/PbSe 三维自组装超晶格/PVP/Al，研究了其电学性能和记忆效应。与参比器件ITO/PVP/Al相比，器件ITO/PVP/PbSe三维自组装超晶格/PVP/Al的电流-电压特性呈现出非常明显的电双稳特性和非易失记忆行为，在相同的电压下同时具有两种不同的导电状态：低电导的关态和高电导的开态。当PVP与PbSe超晶格的质量比为1∶1时，器件性能最好，其最大电流开关比为7×104，经过104 s仍几乎无衰减。通过对电流-电压曲线拟合，利用不同的导电模型对器件的载流子传输机制进行了解释。结果表明，PbSe三维自组装超晶格作为电荷陷阱，可以俘获、储存及释放电荷，对器件的电双稳性能能起决定性作用。

通过简单旋涂方法, 制备了一种基于硫化铅(PbS)纳米晶与聚乙烯基咔唑(PVK)的有机/无机复合薄膜电双稳器件, 并对所制备的器件进行性能测试及其电荷传输机制研究。首先采用热注入的方法制备了尺寸均一的立方形PbS纳米晶, 然后将PbS纳米晶与PVK聚合物混合作为活性层材料, 制备了有机/无机复合薄膜电双稳器件。该器件展示了良好的电双稳特性并且可以实现稳定的“读-写-读-擦”操作。器件的最大电流开关比能够达到104。并进一步对器件在正向电压下的I-V曲线进行了理论拟合, 发现在不同电流传导状态下, 器件符合不同的电传导模型。进而分析了该电双稳器件中的电荷传输机制, 认为在电场的作用下, 发生在纳米晶与聚合物之间的电场诱导电荷转移是产生电双稳特性的主要原因。