华中科技大学,光电工程系,湖北,武汉,430074
利用反应离子束溅射和后退火工艺制备一种新的相变型VO2薄膜,对该薄膜进行电学测试、XRD和光学透过率的测试.这种工艺制备出的相变型VO2薄膜相变温度更接近室温,XRD显示这种薄膜中有VO2、V2O5成分的存在.对这种薄膜的光学透过率测试表明,低温下薄膜的透过率是高温下薄膜透过率的近5倍.通过实验可以看出,氧气分压、退火温度、退火时间是影响制备新型相变型VO2薄膜的重要因素.
薄膜 反应离子束溅射 相变特性 薄膜制备 VO2 VO2 Thin films Reactive ion-sputtering Phase transition properties Fabrication of thin films
1 华中科技大学光电子工程系, 湖北 武汉 430074
2 华中科技大学激光技术国家重点实验室, 湖北 武汉 430074
3 华中科技大学图像识别与人工智能教育部重点实验室, 湖北 武汉 430074
采用一种新工艺在Si和Si3N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到3个数量级,红外透过率在相变前后改变达到60%。
薄膜技术 氧化钒薄膜 温度相变特性 光电特性 微光开关
四川大学物理系教育部辐射物理及技术重点实验室,四川,成都,610064
利用能量为1.7MeV,注量分别为1.25×1013/cm2,1.25×1014/cm2,1.25×1015/cm2的电子束辐照VO2薄膜,采用XPs,XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响.结果表明电子辐照引起VO2薄膜中V离子出现价态变化现象,并使薄膜的X射线衍射峰发生变化.电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了VO2薄膜的热致相变光学特性.
VO2薄膜 变价 相结构 相变性能 电子辐照 VO2 thin film valence variation phase structure phase-transition properties electron irradiation
