王晨 1王承浩 1王琦 1,2,3,*成丁尔 1张大伟 1,2,3
作者单位
摘要
1 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093
2 上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室,上海 200093
3 上海理工大学 教育部光学仪器与系统工程研究中心,上海 200093
二氧化钒薄膜由于其相变特性在多个不同领域中被广泛研究。针对其在开关器件方面的应用,介绍了近年来国内外常见的二氧化钒薄膜制备工艺研究进展并比较其优缺点,同时从不同二氧化钒相变的外部激励机制对国内外基于二氧化钒研发的开关器件进行了介绍,以期为今后的二氧化钒相变开关的研究提供参考。
薄膜 二氧化钒 开关器件 相变特性 thin film vanadium dioxide switching device phase transition characteristics 
光学仪器
2021, 43(3): 78
作者单位
摘要
国防科技大学 电子对抗学院 脉冲功率激光技术国家重点实验室,合肥 230037
用泵浦探针法实验研究了红外激光辐照二氧化钒薄膜的相变特性.首先利用氧源-分子束外延法制备了薄膜厚度分别为20 nm、40 nm、60 nm的三组VO2单晶外延薄膜, 并且以10.6 μm的CO2连续激光作为泵浦光, 分别以1 064 nm和3 459 nm的纳秒脉冲激光作为探针光, 对这三组薄膜分别进行了辐照实验.实验发现三组薄膜相变后对1 064 nm探针光的透过率降低量平均值分别为5.26%、6.2%、8.92%, 反射率降低量分别为3.09%、6.56%、4.93%; 对3 459 nm探针光透过率降低量平均值分别为28.4%、47.78%、55.13%, 反射率升高量平均值分别为6.65%、17.87%、7.49%.结果表明: 利用分子束外延法制备的纳米级VO2薄膜相变前后对入射激光为镜面反射; 薄膜对3 459 nm探针光的相变特性比对1 064 nm探针光相变特性显著; 薄膜厚度的增加会降低相变前透过率, 但是对相变后透过率降低更为明显; 薄膜对10.6 μm CO2连续激光相变前后始终保持几乎不透.研究结果可为薄膜的应用提供参考.
分子束外延 VO2薄膜 泵浦探针法 激光辐照 相变特性 Molecular beam epitaxy VO2 thin films Pump probe method Laser irradiation Phase transition characteristics 
光子学报
2018, 47(12): 1231002
作者单位
摘要
1 复旦大学 光科学与工程系,上海 200433
2 上海超精密光学制造工程技术研究中心,上海 200433
3 复旦大学 (教育部)微纳光子结构重点实验室,上海 200433
4 潍坊医学院 医学物理系,山东 潍坊 261053
利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能力测试的实验数据,经阿伦纽斯外推处理可知,钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜样品的10年数据保持温度要高于未掺杂Ge2Sb2Te5薄膜样品.本文的实验结果均证实,钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜更适合应用于相变随机存取存储器中.
钛掺杂Ge2Sb2Te5 相变特性 热稳定性 数据保持能力 Ti-doped Ge2Sb2Tephase-change behavior thermal stability data retention performance 
红外与毫米波学报
2015, 34(6): 0658
作者单位
摘要
哈尔滨工业大学光电子技术研究所, 黑龙江 哈尔滨 150001
VO2膜作为相变温度最接近室温的热致相变材料,相变前透过率高,探测器可正常工作,吸收来袭激光能量相变后透过率低,起到保护探测器作用,可用在激光防护领域。膜层厚度对透过率有很大影响,采用吸收膜的特征矩阵方法加以分析,通过VO2膜的折射率及消光系数等光学参数,计算出薄膜相变前后透过率。按照符合透过率相变前75%,相变后5%的薄膜,计算出厚度,结合对溅射产额和溅射速率的计算,可得到制备时间。在硒化锌基片上制备了VO2膜,用红外分光光度计测量出相变前后透过率为79.2%和12.3%。样品经轮廓仪测量得到的厚度与计算得到的厚度基本相符。
薄膜 二氧化钒薄膜 温度相变特性 激光防护 膜层厚度 
中国激光
2008, 35(s1): 161
作者单位
摘要
华中科技大学,光电工程系,湖北,武汉,430074
利用反应离子束溅射和后退火工艺制备一种新的相变型VO2薄膜,对该薄膜进行电学测试、XRD和光学透过率的测试.这种工艺制备出的相变型VO2薄膜相变温度更接近室温,XRD显示这种薄膜中有VO2、V2O5成分的存在.对这种薄膜的光学透过率测试表明,低温下薄膜的透过率是高温下薄膜透过率的近5倍.通过实验可以看出,氧气分压、退火温度、退火时间是影响制备新型相变型VO2薄膜的重要因素.
薄膜 反应离子束溅射 相变特性 薄膜制备 VO2 VO2 Thin films Reactive ion-sputtering Phase transition properties Fabrication of thin films 
红外与激光工程
2005, 34(1): 27
作者单位
摘要
1 华中科技大学光电子工程系, 湖北 武汉 430074
2 华中科技大学激光技术国家重点实验室, 湖北 武汉 430074
3 华中科技大学图像识别与人工智能教育部重点实验室, 湖北 武汉 430074
采用一种新工艺在Si和Si3N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到3个数量级,红外透过率在相变前后改变达到60%。
薄膜技术 氧化钒薄膜 温度相变特性 光电特性 微光开关 
中国激光
2003, 30(12): 1107

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