华中科技大学,光电工程系,湖北,武汉,430074
利用反应离子束溅射和后退火工艺制备一种新的相变型VO2薄膜,对该薄膜进行电学测试、XRD和光学透过率的测试.这种工艺制备出的相变型VO2薄膜相变温度更接近室温,XRD显示这种薄膜中有VO2、V2O5成分的存在.对这种薄膜的光学透过率测试表明,低温下薄膜的透过率是高温下薄膜透过率的近5倍.通过实验可以看出,氧气分压、退火温度、退火时间是影响制备新型相变型VO2薄膜的重要因素.
薄膜 反应离子束溅射 相变特性 薄膜制备 VO2 VO2 Thin films Reactive ion-sputtering Phase transition properties Fabrication of thin films
